Infineon Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 76 A 150 V Forbedring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS 5
- RS-varenummer:
- 349-397
- Producentens varenummer:
- BSC105N15LS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 75,55
(ekskl. moms)
Kr. 94,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 15,11 | Kr. 75,55 |
| 50 - 95 | Kr. 14,362 | Kr. 71,81 |
| 100 - 495 | Kr. 13,284 | Kr. 66,42 |
| 500 - 995 | Kr. 12,238 | Kr. 61,19 |
| 1000 + | Kr. 11,788 | Kr. 58,94 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-397
- Producentens varenummer:
- BSC105N15LS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 76A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | PG-TDSON-8 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 34nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 76A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype PG-TDSON-8 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 34nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS 5 power MOSFET logic level 150 V-familien tilbyder den samme fremragende ydeevne som OptiMOS 5 150 V-produkterne med mulighed for at arbejde med kun 4,5 V Vgs. Den har en forbedret termisk styring og mindre systemkompleksitet.
Meget lave koblingstab
Skræddersyet til SR, der leverer 5 V
Meget effektive designs
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 55 A 150 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 87 A 150 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS 5
- Infineon Type P-Kanal -22 A 150 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Type P-Kanal -32 A 100 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Type P-Kanal -59 A 60 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Type N-Kanal 274 A 80 V Forbedring PG-TDSON-8-53, OptiMOS 7
- Infineon Type N-Kanal 220 A 100 V Forbedring PG-TDSON-8-53, OptiMOS 7
- Infineon Type N-Kanal 275 A 60 V Forbedring PG-TDSON-8 FL, OptiMOS-TM5