Infineon Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOSTM
- RS-varenummer:
- 273-2814
- Producentens varenummer:
- ISC011N03L5SATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 63,73
(ekskl. moms)
Kr. 79,66
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 80 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 12,746 | Kr. 63,73 |
| 50 - 495 | Kr. 12,446 | Kr. 62,23 |
| 500 - 995 | Kr. 12,058 | Kr. 60,29 |
| 1000 - 2495 | Kr. 11,758 | Kr. 58,79 |
| 2500 + | Kr. 11,52 | Kr. 57,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-2814
- Producentens varenummer:
- ISC011N03L5SATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PG-TDSON-8 | |
| Serie | OptiMOSTM | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 72nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 96W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PG-TDSON-8 | ||
Serie OptiMOSTM | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 72nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 96W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET er en N-kanal MOSFET og er optimeret til højtydende buck-konverter. Denne MOSFET er kvalificeret iht. JEDEC-standarden og halogenfri iht. IEC61249 2 21.
I overensstemmelse med RoHS
Blyfri blybelægning
Meget lav modstand ved tænding
Fremragende termisk modstandsdygtighed
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOSTM
- Infineon Type N-Kanal 275 A 40 V Forbedring PG-TDSON-8-34, OptiMOSTM AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 430 A 40 V Forbedring PG-TDSON-8-43, OptiMOSTM AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring PG-TDSON-8-33, OptiMOSTM AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 55 A 150 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 87 A 150 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 76 A 150 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS 5
- Infineon Type P-Kanal -14.9 A -30 V Forbedring PG-DSO-8, BSO080P03S H OptiMOSTM-P