Infineon N-Kanal, Effekt MOSFET, 55 A 150 V Forbedring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS 5
- RS-varenummer:
- 349-398
- Producentens varenummer:
- BSC152N15LS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 155,21
(ekskl. moms)
Kr. 194,01
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 31,042 | Kr. 155,21 |
| 50 - 95 | Kr. 29,502 | Kr. 147,51 |
| 100 - 495 | Kr. 27,288 | Kr. 136,44 |
| 500 - 995 | Kr. 25,162 | Kr. 125,81 |
| 1000 + | Kr. 24,146 | Kr. 120,73 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-398
- Producentens varenummer:
- BSC152N15LS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 55A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | PG-TDSON-8 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 15.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 96W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 55A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype PG-TDSON-8 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 15.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 96W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS 5 seriens Power MOSFET, 150 V drain source-spænding, 55 A kontinuerlig drain-strøm - BSC152N15LS5ATMA1
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til omskifter- og strømkonverteringsroller i overflademonterede enheder. Den fungerer over et bredt temperaturområde, hvilket muliggør brug i krævende miljøer, og den er konstrueret til at opfylde branchens miljøstandarder, samtidig med at den giver primær koblingsfunktionalitet til anvendelser med høj strømstyrke.
Egenskaber og fordele:
• 150 V drain-source-klassificering muliggør højspændingsswitching
• 55 A kontinuerlig strøm understøtter drift med kraftig belastning
• 15.2 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 23 nC typisk portladning muliggør hurtige portovergange
• 96 W effekttab opretholder termisk håndteringsevne
• PG-TDSON-8-overfladepakke muliggør kompakte printkortlayouts
• 55 A kontinuerlig strøm understøtter drift med kraftig belastning
• 15.2 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 23 nC typisk portladning muliggør hurtige portovergange
• 96 W effekttab opretholder termisk håndteringsevne
• PG-TDSON-8-overfladepakke muliggør kompakte printkortlayouts
Anvendelser
• Velegnet til DC-DC-omformere i strømforsyninger
• Ideel til synkron ensretning i omformere
• Anvendes sammen med motordrev til elektriske motorer med mellemstor effekt
• Kan bruges til batteristyring og opladningssystemer
• Velegnet til generel omskiftning med høj strømstyrke
• Ideel til synkron ensretning i omformere
• Anvendes sammen med motordrev til elektriske motorer med mellemstor effekt
• Kan bruges til batteristyring og opladningssystemer
• Velegnet til generel omskiftning med høj strømstyrke
Hvilke gate-spændingsgrænser skal jeg overholde for sikker drift?
Gate-source-spændingen må ikke overstige 20 V for at undgå at beskadige gate-dielektrisk.
Hvordan opfører komponenten sig over ekstreme temperaturer?
Den er specificeret til at fungere mellem -55 °C og 150 °C, hvilket giver mulighed for drift under både koldstart og høje temperaturer uden at reducere den grundlæggende koblingsevne.
Hvilke monteringshensyn gælder for termisk ydeevne?
Som en PG-TDSON-8 overflademonteret enhed kræver den tilstrækkelig printkobber og termiske ledninger til at sprede op til 96 W under specificerede forhold.
Er enheden velegnet til brug i biler?
Det er ikke betegnet som bilkvalitet, så brug i køretøjssystemer bør overvejes yderligere kvalifikationstrin.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 87 A 150 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS 5
- Infineon N-Kanal 76 A 150 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS 5
- Infineon N-Kanal 275 A 60 V Forbedring PG-TDSON-8 FL, OptiMOS-TM5
- Infineon N-Kanal 220 A 100 V Forbedring PG-TDSON-8-53, OptiMOS 7
- Infineon N-Kanal 274 A 80 V Forbedring PG-TDSON-8-53, OptiMOS 7
- Infineon N-Kanal 20 A 40 V Forbedring TDSON-8-4, OptiMOS-T2
- Infineon N-Kanal 100 A 30 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOSTM
- Infineon Type P-Kanal -32 A 100 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
