Infineon Type N-Kanal, Effekttransistor, 207 A 135 V Forbedring, 7 Ben, PG-TO263-7, IPF
- RS-varenummer:
- 349-405
- Producentens varenummer:
- IPF031N13NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 80,04
(ekskl. moms)
Kr. 100,04
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 40,02 | Kr. 80,04 |
| 20 - 198 | Kr. 36,055 | Kr. 72,11 |
| 200 - 998 | Kr. 33,25 | Kr. 66,50 |
| 1000 - 1998 | Kr. 30,89 | Kr. 61,78 |
| 2000 + | Kr. 27,60 | Kr. 55,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-405
- Producentens varenummer:
- IPF031N13NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Effekttransistor | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 207A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 135V | |
| Emballagetype | PG-TO263-7 | |
| Serie | IPF | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 104nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 294W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, Pb-free lead plating, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Effekttransistor | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 207A | ||
Drain source spænding maks. Vds 135V | ||
Emballagetype PG-TO263-7 | ||
Serie IPF | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 104nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 294W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, Pb-free lead plating, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 120 V er en N-kanal MOSFET med normalt niveau, der er designet til højeffektive effektapplikationer. Den har meget lav on-modstand (RDS(on)), hvilket reducerer ledningstab og forbedrer den samlede effektivitet. Med et fremragende gate charge x RDS(on)-produkt (FOM) giver den en overlegen switching-ydelse. Enheden har også en meget lav reverseringsladning (Qrr), hvilket sikrer effektiv drift.
Optimeret til motordrev og batteridrevne applikationer
Pb-fri blybelægning og RoHS-kompatibel
Halogenfri i henhold til IEC61249-2-21
MSL 1 klassificeret i henhold til J-STD-020
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 250 A 135 V Forbedring PG-TO263-7, IPF
- Infineon Type N-Kanal 254 A 120 V Forbedring PG-TO263-7, IPF
- Infineon Type N-Kanal 87 A 200 V Forbedring PG-TO263-7, IPF
- Infineon Type N-Kanal 138 A 200 V Forbedring PG-TO263-7, IPF
- Infineon Type N-Kanal 212 A 135 V Forbedring PG-HSOG-8, IPT
- Infineon Type N-Kanal 297 A 135 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Type N-Kanal 297 A 135 V Forbedring PG-HSOG-8, IPT
- Infineon Type N-Kanal 54 A 135 V Forbedring PG-TSDSON-8FL, ISZ