Infineon N-Kanal, Effekttransistor, 87 A 200 V Forbedring, 7 Ben, PG-TO263-7, IPF
- RS-varenummer:
- 349-408
- Producentens varenummer:
- IPF129N20NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 91,18
(ekskl. moms)
Kr. 113,98
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 986 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 45,59 | Kr. 91,18 |
| 20 - 198 | Kr. 41,03 | Kr. 82,06 |
| 200 - 998 | Kr. 37,85 | Kr. 75,70 |
| 1000 - 1998 | Kr. 35,155 | Kr. 70,31 |
| 2000 + | Kr. 31,455 | Kr. 62,91 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-408
- Producentens varenummer:
- IPF129N20NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekttransistor | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 87A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | PG-TO263-7 | |
| Serie | IPF | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 12.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 234W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 37nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249-2-21, JEDEC for Industrial Applications, J-STD-020, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekttransistor | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 87A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype PG-TO263-7 | ||
Serie IPF | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 12.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 234W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 37nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC61249-2-21, JEDEC for Industrial Applications, J-STD-020, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 120 V er en N-kanal MOSFET med normalt niveau, der er designet til højeffektive effektapplikationer. Den har meget lav on-modstand (RDS(on)), hvilket reducerer ledningstab og forbedrer den samlede effektivitet. Med et fremragende gate charge x RDS(on)-produkt (FOM) giver den en overlegen switching-ydelse. Enheden har også en meget lav reverseringsladning (Qrr), hvilket sikrer effektiv drift.
Pb-fri blybelægning og RoHS-kompatibel
Halogenfri i henhold til IEC61249-2-21
MSL 1 klassificeret i henhold til J-STD-020
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 250 A 135 V Forbedring PG-TO263-7, IPF
- Infineon N-Kanal 138 A 200 V Forbedring PG-TO263-7, IPF
- Infineon N-Kanal 254 A 120 V Forbedring PG-TO263-7, IPF
- Infineon N-Kanal 207 A 135 V Forbedring PG-TO263-7, IPF
- Infineon 1 N-Kanal 7 Ben AIK
- Infineon N-Kanal 68 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, IMBG65
- Infineon N-Kanal 170 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, IMBG65
- Infineon N-Kanal 58 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, IMBG65