Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 250 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej IRFB4332PBF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 18,49

(ekskl. moms)

Kr. 23,11

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.801 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 18,49
10 - 24Kr. 17,66
25 - 49Kr. 16,75
50 - 99Kr. 16,16
100 +Kr. 15,01

*Vejledende pris

RS-varenummer:
495-562
Producentens varenummer:
IRFB4332PBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

250V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

33mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

390W

Portkildespænding maks.

30 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

99nC

Min. driftstemperatur

-40°C

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.66mm

Højde

9.02mm

Bredde

4.82 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 60A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 390W maksimal effektafledning - IRFB4332PBF


Denne MOSFET er skræddersyet til højtydende applikationer inden for automatisering og elektronik. Ved hjælp af avanceret HEXFET-teknologi sikrer den optimal effektivitet og pålidelighed i kritiske miljøer. Enheden har robuste specifikationer kombineret med et brugervenligt design, hvilket gør den velegnet til en række industrielle anvendelser. Dens effektive drift under strenge forhold opfylder kravene til moderne elektroniske systemer.

Egenskaber og fordele


• N-kanal-konfiguration understøtter effektivt strømflow

• Kontinuerlig afløbsstrøm på 60A giver stærk ydeevne

• Højspændingskapacitet op til 250V øger alsidigheden

• Lav tændingsmodstand øger effektiviteten og minimerer varmeudviklingen

• Enhancement mode-drift forbedrer stabiliteten for digitale applikationer

• Høj effektafledningsevne bidrager til pålidelighed under belastning

Anvendelsesområder


• Anvendes i energigenvindingssystemer for at øge effektiviteten

• Velegnet til gennemgangskontakt hvor pladsen er begrænset

• Anvendes i plasmaskærme for at forbedre ydeevnen

• Ideel til automatiseringskontroller, der kræver vedvarende høj strøm

Hvad er temperaturområdet for optimal drift?


Enheden fungerer effektivt mellem -40 °C og +175 °C, hvilket gør, at den kan fungere under forskellige miljøforhold.

Hvordan påvirker gate-tærskelspændingen ydeevnen?


Med en tærskelspænding på mellem 3 V og 5 V giver den mulighed for præcis styring i switching-applikationer.

Kan den håndtere høje pulserende strømme?


Ja, designet har plads til pulserende afløbsstrømme, hvilket giver mulighed for 230A under specifikke forhold, hvilket er en fordel ved transiente anvendelser.

Hvad er kravene til varmestyring?


For at opretholde en optimal ydeevne skal der implementeres passende køleforanstaltninger i betragtning af en maksimal effektafledning på 390 W.

Er den kompatibel med forskellige monteringskonfigurationer?


TO-220AB-pakken giver mulighed for enkel montering gennem huller, hvilket forbedrer kompatibiliteten på tværs af forskellige kredsløbsdesign.

Relaterede links