Infineon N-Kanal, MOSFET, 85 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 495-568
- Producentens varenummer:
- IRFB4321PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 23,04
(ekskl. moms)
Kr. 28,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 994 enhed(er) afsendes fra 16. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 23,04 |
| 10 - 24 | Kr. 21,84 |
| 25 - 49 | Kr. 21,02 |
| 50 - 99 | Kr. 20,12 |
| 100 + | Kr. 18,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 495-568
- Producentens varenummer:
- IRFB4321PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 85A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 15mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 71nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | -30V, +30V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 350W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 9.02mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 4.82mm | |
| Længde | 10.66mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 85A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 15mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 71nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. -30V, +30V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 350W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 9.02mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 4.82mm | ||
Længde 10.66mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon HEXFET seriens MOSFET, 150 V maksimal drain-source spænding, 85 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRFB4321PBF
Denne MOSFET er en effekttransistor med gennemgående hul, der er designet til kobling med høj strøm i krævende miljøer. Det er en N-kanalforbedringsenhed, der leveres i en TO-220-pakke til nem printmontering. Komponenten understøtter brede driftstemperaturer, der er velegnede til industrielle sammenhænge, og er i overensstemmelse med RoHS.
Egenskaber og fordele:
• 350 W maks. effekttab muliggør håndtering af kraftig belastning
• 15 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab
• 71 nC typisk gate-ladning understøtter hurtig omskiftningskontrol
• 30 V maksimal gate-source-spænding muliggør robust gate-drev
• Driftsområde fra -55 °C til 175 °C tåler barske miljøer
• 15 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab
• 71 nC typisk gate-ladning understøtter hurtig omskiftningskontrol
• 30 V maksimal gate-source-spænding muliggør robust gate-drev
• Driftsområde fra -55 °C til 175 °C tåler barske miljøer
Anvendelser
• Velegnet til strømforsyningsudgangstrin med høj strøm
• Ideel til koblingselementer til motordrev
• Anvendes sammen med varmeafgivende regulatorer i industrielle systemer
• Kan bruges til omskiftning af DC-DC-konvertere
• Velegnet til udskiftning af huller i ældre kort
• Ideel til koblingselementer til motordrev
• Anvendes sammen med varmeafgivende regulatorer i industrielle systemer
• Kan bruges til omskiftning af DC-DC-konvertere
• Velegnet til udskiftning af huller i ældre kort
Hvilken monteringsmetode anvender den?
Den leveres i en TO-220-pakke, der er beregnet til montering gennem hul og varmeafledere.
Hvilken type kanal og skiftetilstand bruger den?
Enheden er en N-kanal, forstærkningstransistor, der er designet til hurtig omskiftning i strømkredsløb.
Hvad er grænserne for gate- og drain-spændinger?
Porten kan drives op til 30 V, og drain-kilde-spændingen kan nå 150 V.
Hvor meget kontinuerlig strøm kan den håndtere, og hvad er den termiske kapacitet?
Den understøtter 85 A kontinuerlig drenstrøm med et maksimalt effekttab på 350 W.
Er der miljømæssige eller godkendelsesmæssige hensyn til brugen?
Komponenten opfylder RoHS-kravene og fungerer i et temperaturområde fra -55 °C til 175 °C.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 85 A 150 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 35 A 150 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 51 A 150 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 150 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 43 A 150 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 83 A 150 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 104 A 150 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 17 A 150 V Forbedring TO-220, HEXFET