Infineon N-Kanal, MOSFET, 104 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 688-6932
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-29-286
- Producentens varenummer:
- IRFB4115PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 39,64
(ekskl. moms)
Kr. 49,56
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 28 enhed(er) afsendes fra 02. november 2026
- Plus 696 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 19,82 | Kr. 39,64 |
| 20 - 48 | Kr. 17,465 | Kr. 34,93 |
| 50 - 98 | Kr. 16,42 | Kr. 32,84 |
| 100 - 198 | Kr. 15,26 | Kr. 30,52 |
| 200 + | Kr. 14,10 | Kr. 28,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 688-6932
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-29-286
- Producentens varenummer:
- IRFB4115PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 104A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 77nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 380W | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.83mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 9.02mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 104A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 77nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 380W | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.83mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 9.02mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon HEXFET seriens MOSFET, 150 V maksimal drain source-spænding, 104 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRFB4115PBF
Denne MOSFET er en højtydende N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til koblings- og strømkonverteringsopgaver i krævende elektroniske systemer. Den fungerer på tværs af et bredt termisk område, der er velegnet til krævende miljøer, og leveres i en TO-220-pakke med gennemgående hul til nem køleplade og montering. Enheden leverer en betydelig kontinuerlig afløbsstrømkapacitet og er beregnet til anvendelser, der kræver effektiv håndtering af høj strøm og hurtig skifteydeevne.
Egenskaber og fordele:
• 150 V maksimal afløbsspænding muliggør højspændingsswitching
• 104 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter håndtering af tung belastning
• 11 mΩ lav RDS(on) minimerer ledningstab ved høj strøm
• 380 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning
• 77 nC typisk gate-ladning muliggør hurtige skifteovergange
• 1.3 V fremadgående spænding reducerer diodeledningsfald
• 104 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter håndtering af tung belastning
• 11 mΩ lav RDS(on) minimerer ledningstab ved høj strøm
• 380 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning
• 77 nC typisk gate-ladning muliggør hurtige skifteovergange
• 1.3 V fremadgående spænding reducerer diodeledningsfald
Anvendelser
• Velegnet til Infineon HEXFET 150 V MOSFET TO-220 motordrev
• Ideel til 150 V 104 A MOSFET'er til switch-mode strømforsyninger
• Anvendes sammen med N-kanalforstærknings-MOSFET-kredsløb med høj effekt
• Kan bruges til TO-220 MOSFET 380 W effekttrin med gennemgående hul
• Ideel til 150 V 104 A MOSFET'er til switch-mode strømforsyninger
• Anvendes sammen med N-kanalforstærknings-MOSFET-kredsløb med høj effekt
• Kan bruges til TO-220 MOSFET 380 W effekttrin med gennemgående hul
Hvilke gate-spændingsgrænser skal designere overholde?
Port-til-kilde-klassificeringen er ±20 V, så drevkredsløb skal holde VGS inden for dette område for at undgå portbeskadigelse.
Hvordan fungerer enheden under ekstreme temperaturer?
Den er specificeret til drift fra -55 °C til 175 °C, hvilket sikrer, at elektriske egenskaber opretholdes under disse omgivelses- og forbindelsesforhold.
Hvilke hensyn til montering og antal ben gælder?
Komponenten har tre ben og er beregnet til montering gennem hul i et TO-220-format for at lette sikker montering af kølelegeme.
Hvilken kanal og ledningstilstand bruger den?
Det er en N-kanal-enhed, der fungerer i forstærkning, hvilket kræver en positiv gate i forhold til kilden for at tænde.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 104 A 150 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 35 A 150 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 51 A 150 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 150 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 43 A 150 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 83 A 150 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 17 A 150 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 150 A 30 V Forbedring TO-220, HEXFET