Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 150 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 804,15

(ekskl. moms)

Kr. 1.005,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.250 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 +Kr. 16,083Kr. 804,15

*Vejledende pris

RS-varenummer:
145-8878
Producentens varenummer:
IRF1405ZPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

150A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

TO-220

Serie

HEXFET

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

4.9mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

230W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

120nC

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.67mm

Bredde

4.83 mm

Højde

16.51mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal Power MOSFET 55 V, Infineon


Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links