Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 83 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej IRFB4228PBF

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 987,35

(ekskl. moms)

Kr. 1.234,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 800 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 +Kr. 19,747Kr. 987,35

*Vejledende pris

RS-varenummer:
124-9007
Producentens varenummer:
IRFB4228PBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

83A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

15mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-40°C

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

72nC

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

330W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

1.3mm

Højde

8.77mm

Bredde

4.82 mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal Power MOSFET fra 150 V til 600 V, Infineon


Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links