Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 83 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 987,35

(ekskl. moms)

Kr. 1.234,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 800 enhed(er) afsendes fra 20. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 +Kr. 19,747Kr. 987,35

*Vejledende pris

RS-varenummer:
124-9007
Producentens varenummer:
IRFB4228PBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

83A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

15mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

72nC

Effektafsættelse maks. Pd

330W

Portkildespænding maks.

30 V

Min. driftstemperatur

-40°C

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

8.77mm

Længde

1.3mm

Bredde

4.82 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal Power MOSFET fra 150 V til 600 V, Infineon


Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links