Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 1.9 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, BSH108 Nej BSH108,215
- RS-varenummer:
- 509-324
- Producentens varenummer:
- BSH108,215
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 44,16
(ekskl. moms)
Kr. 55,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 40 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 1.580 enhed(er) afsendes fra 09. januar 2026
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 27. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 140 | Kr. 2,208 | Kr. 44,16 |
| 160 - 740 | Kr. 1,32 | Kr. 26,40 |
| 760 - 1480 | Kr. 1,266 | Kr. 25,32 |
| 1500 + | Kr. 1,006 | Kr. 20,12 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 509-324
- Producentens varenummer:
- BSH108,215
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | BSH108 | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 120mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 830mW | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.4nC | |
| Min. driftstemperatur | -65°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3mm | |
| Bredde | 1.4 mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie BSH108 | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 120mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 830mW | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.4nC | ||
Min. driftstemperatur -65°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3mm | ||
Bredde 1.4 mm | ||
Højde 1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-Channel MOSFET, op til 30 V.
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterede links
- Nexperia N-Kanal 1 3 ben215
- Nexperia N-Kanal 1 3 ben215
- onsemi N-Kanal 1 3 ben, SOT-23 FDN357N
- Nexperia N-Kanal 850 mA 30 V SOT-23 BSH103,215
- Nexperia N-Kanal 3 3 ben, SOT-23 PMV50XNEAR
- DiodesZetex N-Kanal 1 6 ben, SOT-23 ZXMN10B08E6TA
- DiodesZetex N-Kanal 1 6 ben, SOT-23 ZXMN10A08E6TA
- Nexperia N-Kanal 5 3 ben PMV45EN2 PMV45EN2R
