Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 1.9 A 100 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, PMV213SN Nej PMV213SN,215
- RS-varenummer:
- 725-8326
- Producentens varenummer:
- PMV213SN,215
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 92,98
(ekskl. moms)
Kr. 116,22
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 40 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 80 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 20. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | Kr. 4,649 | Kr. 92,98 |
| 40 - 80 | Kr. 4,182 | Kr. 83,64 |
| 100 + | Kr. 3,722 | Kr. 74,44 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 725-8326
- Producentens varenummer:
- PMV213SN,215
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | PMV213SN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 250mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bredde | 1.4 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie PMV213SN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 250mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3mm | ||
Højde 1mm | ||
Bredde 1.4 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 100 V og højere, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 1.9 A 100 V Forbedring SOT-23, PMV213SN Nej
- Nexperia Type N-Kanal 1.9 A 30 V Forbedring SOT-23, BSH108 Nej
- Nexperia Type N-Kanal 1.9 A 30 V Forbedring SOT-23215
- Nexperia Type N-Kanal 360 mA 60 V Forbedring SOT-23215
- Nexperia Type N-Kanal 360 mA 60 V Forbedring SOT-23215
- Nexperia Type N-Kanal 300 mA 60 V Forbedring SOT-23215
- Nexperia Type P-Kanal 3.9 A 20 V Forbedring SOT-23 Nej PMV65XP,215
- Nexperia Type N-Kanal 360 mA 60 V Forbedring SOT-23215
