Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 360 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002P Nej 2N7002P,215
- RS-varenummer:
- 792-0765
- Producentens varenummer:
- 2N7002P,215
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 150 enheder)*
Kr. 51,15
(ekskl. moms)
Kr. 63,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 150 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 215.700 enhed(er) afsendes fra 14. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 150 - 1350 | Kr. 0,341 | Kr. 51,15 |
| 1500 + | Kr. 0,185 | Kr. 27,75 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 792-0765
- Producentens varenummer:
- 2N7002P,215
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 360mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | 2N7002P | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.6Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.6nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 420mW | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bredde | 1.4 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 360mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie 2N7002P | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.6Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.6nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 420mW | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3mm | ||
Højde 1mm | ||
Bredde 1.4 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 60 V til 80 V, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 360 mA 60 V Forbedring SOT-23, 2N7002P Nej
- Nexperia Type N-Kanal 360 mA 60 V Forbedring SOT-23215
- Nexperia Type N-Kanal 360 mA 60 V Forbedring SOT-23215
- Nexperia Type N-Kanal 360 mA 60 V Forbedring SOT-23, BSS138BK Nej
- Nexperia Type N-Kanal 360 mA 60 V Forbedring SOT-23, BSS138P AEC-Q101
- Nexperia Type N-Kanal 300 mA 60 V Forbedring SOT-23215
- Nexperia Type N-Kanal 350 mA 60 V Forbedring SOT-23215
- Nexperia Type N-Kanal 300 mA 60 V Forbedring SOT-23, NX7002AK Nej