Microchip N-kanals lodret DMOS FET-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 450 mA 40 V Forbedringstilstand, 3 Ben, TO-92-3 (TO-226AA),
- RS-varenummer:
- 598-189
- Producentens varenummer:
- TN2425N8-G
- Brand:
- Microchip
Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*
Kr. 22.800,00
(ekskl. moms)
Kr. 28.500,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 18. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | Kr. 11,40 | Kr. 22.800,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 598-189
- Producentens varenummer:
- TN2425N8-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Kanaltype | N-kanals lodret DMOS FET | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 450mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Serie | TN2425 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.8Ω | |
| Kanalform | Forbedringstilstand | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 4.2mm | |
| Højde | 5.3mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bredde | 4.2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Kanaltype N-kanals lodret DMOS FET | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 450mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Serie TN2425 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.8Ω | ||
Kanalform Forbedringstilstand | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 4.2mm | ||
Højde 5.3mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bredde 4.2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchip N-kanalforbedringstilstand vertikal transistor er en lavtærskel, normalt slukket enhed, der bruger en vertikal DMOS-struktur og en velprøvet siliciumgate-fremstillingsproces. Denne kombination giver strømhåndteringsmulighederne for bipolære transistorer sammen med den høje indgangsimpedans og den positive temperaturkoefficient, der er karakteristisk for MOS-enheder. Som med alle MOS-strukturer er enheden fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud.
Hurtige skiftehastigheder
Lav modstand ved tændt
Fri for sekundær nedbrydning
Lav indgangs- og udgangslækage
Relaterede links
- Microchip N-kanals lodret DMOS FET-Kanal 350 mA 90 V Forbedringstilstand TO-92-3 (TO-226AA),
- Microchip N-kanals lodret DMOS FET-Kanal 450 mA 40 V Forbedringstilstand TO-92-3 (TO-226AA),
- Microchip N-kanal DMOS FET-Kanal 350 mA 500 V Udtømningstilstand TO-252 (D-PAK-3), DN2450
- Microchip N-kanal DMOS FET-Kanal 350 mA 500 V Udtømningstilstand TO-252 (D-PAK-3), DN3145
- Microchip N-kanal DMOS FET-Kanal 350 mA 500 V Udtømningstilstand TO-252 (D-PAK-3), DN3765
- Microchip N-kanal DMOS FET-Kanal 350 mA 500 V Udtømningstilstand TO-252 (D-PAK-3), DN3545
- Microchip N-kanal DMOS FET-Kanal 350 mA 500 V Udtømningstilstand TO-252 (D-PAK-3), DN2530
- Microchip N-kanal DMOS FET-Kanal 350 mA 500 V Udtømningstilstand TO-252 (D-PAK-3), DN2535