Microchip N-kanals lodret DMOS FET-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 350 mA 90 V Forbedringstilstand, 3 Ben, TO-92-3 (TO-226AA),
- RS-varenummer:
- 598-655
- Producentens varenummer:
- VN2210N2
- Brand:
- Microchip
Indhold (1 pose af 500 enheder)*
Kr. 93.122,00
(ekskl. moms)
Kr. 116.402,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 17. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pose* |
|---|---|---|
| 500 + | Kr. 186,244 | Kr. 93.122,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 598-655
- Producentens varenummer:
- VN2210N2
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | N-kanals lodret DMOS FET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 350mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 90V | |
| Emballagetype | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Serie | VN2210 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3Ω | |
| Kanalform | Forbedringstilstand | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bredde | 4.19 mm | |
| Længde | 5.08mm | |
| Højde | 5.33mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype N-kanals lodret DMOS FET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 350mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 90V | ||
Emballagetype TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Serie VN2210 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3Ω | ||
Kanalform Forbedringstilstand | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bredde 4.19 mm | ||
Længde 5.08mm | ||
Højde 5.33mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
Microchip N-kanalforbedringstilstand vertikal transistor udnytter en vertikal dobbeltdiffuseret metaloxidhalvleder (DMOS) struktur sammen med en velprøvet silicium gate fremstillingsproces. Denne kombination sikrer, at enheden er fri for sekundær sammenbrud og fungerer med et lavt strømkrav til drev, hvilket gør den effektiv og pålidelig til forskellige anvendelser.
Let at parallellisere
Krav om lavt strømforbrug
Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
Relaterede links
- Microchip N-kanals lodret DMOS FET-Kanal 350 mA 90 V Forbedringstilstand TO-92-3 (TO-226AA)
- Microchip N-kanals lodret DMOS FET-Kanal 450 mA 40 V Forbedringstilstand TO-92-3 (TO-226AA)
- Microchip N-kanal DMOS FET-Kanal 350 mA 500 V Udtømningstilstand TO-252 (D-PAK-3)
- Microchip N-kanal DMOS FET-Kanal 350 mA 9 V Udtømningstilstand SOT-23-5
- DiodesZetex Type N-Kanal 320 mA 100 V Forbedring TO-92, ZVNL110A
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben R8019KNZ4
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben RJ1
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben R8011KNZ4
