Microchip N-kanals lodret DMOS FET-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 350 mA 90 V Forbedringstilstand, 3 Ben, TO-92-3 (TO-226AA)

Se alle MOSFET

Indhold (1 pose af 500 enheder)*

Kr. 93.122,00

(ekskl. moms)

Kr. 116.402,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder
Per stk.
Pr pose*
500 +Kr. 186,244Kr. 93.122,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
598-655
Producentens varenummer:
VN2210N2
Brand:
Microchip
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Microchip

Kanaltype

N-kanals lodret DMOS FET

Produkttype

Enkelt MOSFET'er

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

350mA

Drain source spænding maks. Vds

90V

Emballagetype

TO-92-3 (TO-226AA)

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3Ω

Kanalform

Forbedringstilstand

Effektafsættelse maks. Pd

1W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.8V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

5.33mm

Bredde

4.19 mm

Længde

5.08mm

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
TH
Microchip N-kanalforbedringstilstand vertikal transistor udnytter en vertikal dobbeltdiffuseret metaloxidhalvleder (DMOS) struktur sammen med en velprøvet silicium gate fremstillingsproces. Denne kombination sikrer, at enheden er fri for sekundær sammenbrud og fungerer med et lavt strømkrav til drev, hvilket gør den effektiv og pålidelig til forskellige anvendelser.

Let at parallellisere

Krav om lavt strømforbrug

Høj indgangsimpedans og høj forstærkning

Relaterede links