Microchip N-kanal DMOS FET-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 350 mA 500 V Udtømningstilstand, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3) Nej
- RS-varenummer:
- 598-063
- Producentens varenummer:
- DN2535N5-G
- Brand:
- Microchip
Indhold (1 æske af 300 enheder)*
Kr. 4.783,80
(ekskl. moms)
Kr. 5.979,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 04. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr æske* |
|---|---|---|
| 300 + | Kr. 15,946 | Kr. 4.783,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 598-063
- Producentens varenummer:
- DN2535N5-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | N-kanal DMOS FET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 350mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | TO-252 (D-PAK-3) | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10Ω | |
| Kanalform | Udtømningstilstand | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 2.29mm | |
| Bredde | 3 mm | |
| Længde | 4.4mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, ISO/TS‑16949 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype N-kanal DMOS FET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 350mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype TO-252 (D-PAK-3) | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10Ω | ||
Kanalform Udtømningstilstand | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 2.29mm | ||
Bredde 3 mm | ||
Længde 4.4mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS, ISO/TS‑16949 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Microchips transistor med udarmningstilstand med lav tærskel udnytter en avanceret vertikal DMOS-struktur og en velprøvet siliciumgate-fremstillingsproces. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og med den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud. Vertikale DMOS FET'er er ideelle til en bred vifte af koblings- og forstærkningsanvendelser, hvor høj nedbrydningsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige koblingshastigheder ønskes.
Høj indgangsimpedans
Lav indgangskapacitans
Hurtige skiftehastigheder
Lav modstand ved tændt
Fri for sekundær nedbrydning
Lav indgangs- og udgangslækage
Relaterede links
- Microchip N-Kanal 120 mA 350 V Depletion TO-92, DN2535 DN2535N3-G
- Microchip N-Kanal 230 mA 350 V Depletion TO-243AA DN3535N8-G
- Microchip N-Kanal 120 mA 350 V Depletion TO-92 DN2535N3-G
- Microchip N-Kanal 72 mA 350 V Depletion SOT-23, DN3135 DN3135K1-G
- Microchip N-Kanal 730 mA 350 V Depletion SOT-89, DN3135 DN3135N8-G
- Microchip N-Kanal 500 mA 400 V Depletion TO-220 DN2540N5-G
- Microchip N-Kanal 150 mA 400 V Depletion TO-92, DN2540 DN2540N3-G-P003
- Infineon N-Kanal 350 mA 240 V Depletion SOT-223, SIPMOS® BSP129H6327XTSA1