Microchip N-kanal DMOS FET-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 350 mA 500 V Udtømningstilstand, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3) Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 14.944,00

(ekskl. moms)

Kr. 18.680,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 26. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2000 +Kr. 7,472Kr. 14.944,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
598-857
Producentens varenummer:
DN2540N3-G-P003
Brand:
Microchip
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Microchip

Kanaltype

N-kanal DMOS FET

Produkttype

Enkelt MOSFET'er

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

350mA

Drain source spænding maks. Vds

500V

Emballagetype

TO-252 (D-PAK-3)

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

10Ω

Kanalform

Udtømningstilstand

Gennemgangsspænding Vf

1.8V

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

4.4mm

Højde

2.29mm

Standarder/godkendelser

ISO/TS‑16949, RoHS

Bredde

3 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
PH
Microchips transistor med udarmningstilstand med lav tærskel udnytter en avanceret vertikal DMOS-struktur og en velprøvet siliciumgate-fremstillingsproces. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og med den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud.

Høj indgangsimpedans

Lav indgangskapacitans

Hurtige skiftehastigheder

Lav modstand ved tændt

Fri for sekundær nedbrydning

Lav indgangs- og udgangslækage

Relaterede links