Microchip Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 360 mA 250 V Udtømning, 3 Ben, SOT-89, DN3525

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 5 enheder)*

Kr. 32,24

(ekskl. moms)

Kr. 40,30

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • Plus 2.000 enhed(er) afsendes fra 17. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
5 - 45Kr. 6,448Kr. 32,24
50 - 245Kr. 5,67Kr. 28,35
250 - 495Kr. 5,086Kr. 25,43
500 +Kr. 4,562Kr. 22,81

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
649-455
Producentens varenummer:
DN3525N8-G
Brand:
Microchip
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Microchip

Kanaltype

Type N

Produkttype

Enkelt MOSFET'er

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

360mA

Drain source spænding maks. Vds

250V

Emballagetype

SOT-89

Serie

DN3525

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

6Ω

Kanalform

Udtømning

Effektafsættelse maks. Pd

1.6W

Gennemgangsspænding Vf

1.8V

Portkildespænding maks.

±20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

Lead (Pb)-free/RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Microchip transistor med lav tærskel for udarmningstilstand (normalt tændt) udnytter en avanceret vertikal DMOS-struktur og en velprøvet siliciumgate-fremstillingsproces. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og med den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder.

Høj indgangsimpedans

Lav indgangskapacitans

Hurtige skiftehastigheder

Lav modstand ved tændt

Fri for sekundær nedbrydning

Lav indgangs- og udgangslækage

Relaterede links

Recently viewed