Microchip Type N-Kanal, MOSFET, 360 A 240 V Forbedring, 3 Ben, SOT-89, TN2524
- RS-varenummer:
- 264-8919
- Producentens varenummer:
- TN2524N8-G
- Brand:
- Microchip
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 51,61
(ekskl. moms)
Kr. 64,51
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 1.345 enhed(er) afsendes fra 17. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 10,322 | Kr. 51,61 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-8919
- Producentens varenummer:
- TN2524N8-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 360A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 240V | |
| Serie | TN2524 | |
| Emballagetype | SOT-89 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.6W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 2.6 mm | |
| Højde | 1.6mm | |
| Længde | 4.6mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 360A | ||
Drain source spænding maks. Vds 240V | ||
Serie TN2524 | ||
Emballagetype SOT-89 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.6W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 2.6 mm | ||
Højde 1.6mm | ||
Længde 4.6mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchips N-kanal MOSFET med lav tærskel-forbedringstilstand (normalt slukket) udnytter en vertikal DMOS-struktur og gennemprøvet fremstillingsproces med silicium-gate. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og med den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud. Vertikale DMOS FET'er er ideelle til en bred vifte af koblings- og forstærkningsanvendelser, hvor meget lav tærskelspænding, høj nedbrydningsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige koblingshastigheder ønskes.
Lav tærskelværdi (2,0 V maks.)
Høj indgangsimpedans
Lav indgangskapacitet (125 pF maks.)
Hurtige skiftehastigheder
Lav modstand ved tændt
Uden sekundær afbrydelse
Lav indgangs- og udgangslækage
Relaterede links
- Microchip Type N-Kanal 360 A 240 V Forbedring SOT-89, TN2524
- Microchip Type P-Kanal 3 Ben TP2510
- DiodesZetex Type N-Kanal 240 mA 250 V Forbedring SOT-89, ZVN4525Z
- Microchip Type P-Kanal 160 mA 500 V Forbedring SOT-89, VP2450
- Microchip Type N-Kanal 360 mA 250 V Udtømning SOT-89, DN3525
- Infineon Type N-Kanal 260 mA 240 V Forbedring SOT-89, SIPMOS AEC-Q101
- Microchip Type N-Kanal 250 mA 600 V Forbedring SOT-89, VN2460
- Microchip Type N-Kanal 0.73 A 100 V Forbedring SOT-89, TN2510