Vishay Dual N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 7.1 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK, SIS9122
- RS-varenummer:
- 653-097
- Producentens varenummer:
- SIS9122DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 14.085,00
(ekskl. moms)
Kr. 17.607,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 6.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 4,695 | Kr. 14.085,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 653-097
- Producentens varenummer:
- SIS9122DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Dual N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | SIS9122 | |
| Emballagetype | PowerPAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.16Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 17.8W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.8nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.8mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Dual N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie SIS9122 | ||
Emballagetype PowerPAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.16Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 17.8W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.8nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.8mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishays dobbelte N-kanals MOSFET i bilkvalitet er designet til højeffektiv omskiftning i kompakte strømforsyningssystemer. Den understøtter op til 100 V afløbs-kildespænding. Pakket i PowerPAK 1212-8 Dual udnytter den TrenchFET Gen IV-teknologi til optimeret elektrisk og termisk ydeevne.
Pb-fri
Halogenfri
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- Vishay Dual N-Kanal 7.1 A 100 V Forbedring PowerPAK, SIS9122
- Vishay Type N-Kanal 62.8 A 40 V Forbedring PowerPAK, SIS4406DN
- Vishay Type N-Kanal 5.9 A 100 V Forbedring PowerPAK, SIB4122DK
- Vishay Type N-Kanal 18 A 150 V Forbedring PowerPAK, SIS5712DN
- Vishay Type N-Kanal 18 A 150 V Forbedring PowerPAK, SIR5712DP
- Vishay Type P-Kanal -48.3 A -40 V Forbedring PowerPAK, SIR4411DP
- Vishay Type N-Kanal 25.7 A 100 V Forbedring PowerPAK, SIR4156LDP
- Vishay Type N-Kanal 38 A 600 V Forbedring PowerPAK, E