Vishay Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 96 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK, SIRA10DDP Nej
- RS-varenummer:
- 653-142
- Producentens varenummer:
- SIRA10DDP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 2,99
(ekskl. moms)
Kr. 3,74
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 6.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 24 | Kr. 2,99 |
| 25 - 99 | Kr. 2,62 |
| 100 - 499 | Kr. 2,39 |
| 500 - 999 | Kr. 2,09 |
| 1000 + | Kr. 1,87 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 653-142
- Producentens varenummer:
- SIRA10DDP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 96A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PowerPAK | |
| Serie | SIRA10DDP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0031Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 43W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6.15 mm | |
| Højde | 1.04mm | |
| Længde | 5.15mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 96A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PowerPAK | ||
Serie SIRA10DDP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0031Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 43W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6.15 mm | ||
Højde 1.04mm | ||
Længde 5.15mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay N-kanals MOSFET er designet til højeffektiv omskiftning i kompakte strømforsyningssystemer. Den understøtter op til 30 V afløbs-kildespænding. Pakket i PowerPAK SO-8 udnytter den TrenchFET Gen IV-teknologi til at levere ultralav RDS(on), hurtig skifte og fremragende termisk ydeevne.
Pb-fri
Halogenfri
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 96 A 30 V Forbedring PowerPAK, SIRA10DDP Nej SIRA10DDP-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring PowerPAK, SIRA18DDP Nej
- Vishay Type N-Kanal 78 A 40 V Forbedring PowerPAK, SIR4406DP Nej
- Vishay Type N-Kanal 5.9 A 100 V Forbedring PowerPAK, SIB4122DK Nej
- Vishay Type N-Kanal 62.8 A 40 V Forbedring PowerPAK, SIS4406DN Nej
- Vishay Type N-Kanal 78 A 40 V Forbedring PowerPAK, SIJ4406DP Nej
- Vishay Type N-Kanal 64 A 30 V Forbedring PowerPAK, SIRA14DDP Nej
- Vishay Type N-Kanal 81 A 30 V Forbedring PowerPAK, SIRA12DDP Nej
