Vishay Type P-Kanal, Enkelt MOSFET'er, -4.1 A -40 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, SQ2389CES AEC-Q101

RS-varenummer:: 653-158
Producentens varenummer:: SQ2389CES-T1_GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type P-Kanal, Enkelt MOSFET'er, -4.1 A -40 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, SQ2389CES AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 4.677,00

(ekskl. moms)

Kr. 5.847,00

(inkl. moms)

Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 1,559	Kr. 4.677,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 653-158
Producentens varenummer:: SQ2389CES-T1_GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	Enkelt MOSFET'er
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	-4.1A
	Drain source spænding maks. Vds	-40V
	Serie	SQ2389CES
	Emballagetype	SOT-23
	Monteringstype	Printmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	0.094Ω
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	3W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20V
	Gennemgangsspænding Vf	-1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	12nC
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bredde	2.64mm
	Længde	3.04mm
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type P
	Produkttype Enkelt MOSFET'er
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -4.1A
	Drain source spænding maks. Vds -40V
	Serie SQ2389CES
	Emballagetype SOT-23
	Monteringstype Printmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 0.094Ω
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 3W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20V
	Gennemgangsspænding Vf -1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12nC
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bredde 2.64mm
	Længde 3.04mm
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet - SQ2389CES-T1_GE3

Vishay SQ2389CES seriens enkelte MOSFET'er, -40 V maksimal drain source-spænding, -4,1 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SQ2389CES-T1_GE3

Denne enkelt MOSFET-enhed er en P-kanalforstærkningstransistor, der er designet til brug på printkort i bil- og industrielle styringsmiljøer. Den giver drift ved høje temperaturer og lav fremadgående spænding til koblings- og beskyttelsesroller i systemer, der kræver kompakt SOT-23-emballage og robusthed i bilkvalitet.

Egenskaber og fordele:

• -40 V mærkeværdi muliggør håndtering af moderate negative skinnespændinger til omskiftning
• 0,094 Ω RDS(on) minimerer ledningstab under belastningsdrift
• -4.1 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate effektbelastninger på printkort
• 12 nC typisk gate-ladning reducerer drevenergi for hurtigere omskiftning
• 3 W effekttab muliggør vedvarende drift ved høje effektniveauer
• -55 °C til 175 °C-området er velegnet til udvidede termiske miljøer

Anvendelser

• Velegnet til high-side-switching i elektroniske moduler til biler
• Ideel til belastningsbeskyttelse i batteristyringssystemer
• Anvendes til beskyttelse mod omvendt polaritet i køretøjselektronik
• Kan bruges til strømkobling i industrielle automationsstyringer

Hvilken pakke skal jeg planlægge for på printkortets fodaftryk?

Enheden leveres i en SOT‐23-pakke med tre ledninger, der kræver et lille fodaftryk til overflademontering, der er kompatibelt med standard SOT‐23-jordmønstre.

Hvordan påvirker gate-drevspænding brugen i systemer?

Porten kan drives op til 20 V

sikre, at gate-source-udgange forbliver inden for denne grænse for at undgå enhedsbelastning.

Hvilke termiske overvejelser gælder for vedvarende drift?

Med en maksimal samletemperatur på 175 °C og 3 W tab anbefales termisk styring som f. eks. kobberhældning eller varmeafledning til kontinuerlig brug med høj effekt.

Kan den opfylde miljøkrav til biler?

Den er kvalificeret til AEC‐Q101-stresstest og er i overensstemmelse med RoHS, hvilket er i overensstemmelse med kravene til bilkomponenter.

Hvad er de forventede koblingsegenskaber?

Typisk gate-ladning på 12 nC angiver et beskedent opladningskrav, der understøtter relativt lav drivenergi til skifteovergange.