Vishay P-kanal-Kanal, MOSFET, -2.5 A -30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 735-275
- Producentens varenummer:
- SQ2303CES-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 1,80
(ekskl. moms)
Kr. 2,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 21. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 24 | Kr. 1,80 |
| 25 - 99 | Kr. 1,27 |
| 100 - 499 | Kr. 0,75 |
| 500 + | Kr. 0,63 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 735-275
- Producentens varenummer:
- SQ2303CES-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | P-kanal | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -2.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -30V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.37Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.7nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.9W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1.12mm | |
| Længde | 3.04mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bredde | 2.64mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype P-kanal | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -2.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds -30V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.37Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.7nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.9W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1.12mm | ||
Længde 3.04mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bredde 2.64mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Relaterede links
- Vishay P-kanal-Kanal -0.84 A -150 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 4.1 A 40 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 2.3 A 60 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 8 A 40 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 2 A 60 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 1.7 A 60 V Forbedring TO-236, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 1.7 A 60 V Forbedring SOT-23, SQ AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -175 A -80 V Forbedring PowerPAK (8x8L), TrenchFET AEC-Q101