Vishay Siliconix Type N-Kanal, MOSFET, 2 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 5.070,00

(ekskl. moms)

Kr. 6.330,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 1,69Kr. 5.070,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
178-3708
Producentens varenummer:
SQ2364EES-T1_GE3
Brand:
Vishay Siliconix
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay Siliconix

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOT-23

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

600mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

2nC

Effektafsættelse maks. Pd

3W

Portkildespænding maks.

8 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

3.04mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.02mm

Bredde

1.4 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSF


Vishay overflademonteret N-kanal MOSFET er et nyt aldersprodukt med en drænkildespænding på 60 V og en maksimal gate-source spænding på 8 V. Den har en drænkildestyrke på 240 mhms ved en gate-source-spænding på 4,5 V. Den har en maksimal effektspredning på 3 W og kontinuerlig drænstrøm på 2A. Den har en min. og en maksimal kørespænding på 1,5 V og 4,5 V. Den bruges til automotive-anvendelser. MOSFET er optimeret til lavere switching- og ledningstab. MOSFET tilbyder fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• Halogenfri

• Afledning (Pb) fri

• Driftstemperaturområdet ligger mellem -55°C og 175°C.

• TrenchFET power MOSFET

Certifikater


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg testet

• UIS testet

Relaterede links