Vishay Siliconix Type N-Kanal, MOSFET, 2 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 278,80

(ekskl. moms)

Kr. 348,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.225 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
100 - 475Kr. 2,788
500 - 975Kr. 2,328
1000 +Kr. 1,975

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
178-3877P
Producentens varenummer:
SQ2364EES-T1_GE3
Brand:
Vishay Siliconix
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay Siliconix

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOT-23

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

600mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

2nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

8 V

Effektafsættelse maks. Pd

3W

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

3.04mm

Højde

1.02mm

Bredde

1.4 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSF


Vishay overflademonteret N-kanal MOSFET er et nyt aldersprodukt med en drænkildespænding på 60 V og en maksimal gate-source spænding på 8 V. Den har en drænkildestyrke på 240 mhms ved en gate-source-spænding på 4,5 V. Den har en maksimal effektspredning på 3 W og kontinuerlig drænstrøm på 2A. Den har en min. og en maksimal kørespænding på 1,5 V og 4,5 V. Den bruges til automotive-anvendelser. MOSFET er optimeret til lavere switching- og ledningstab. MOSFET tilbyder fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• Halogenfri

• Afledning (Pb) fri

• Driftstemperaturområdet ligger mellem -55°C og 175°C.

• TrenchFET power MOSFET

Certifikater


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg testet

• UIS testet

Relaterede links