Vishay Siliconix Type N-Kanal, MOSFET, 2 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 178-3877P
- Producentens varenummer:
- SQ2364EES-T1_GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 338,70
(ekskl. moms)
Kr. 423,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.475 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 475 | Kr. 3,387 |
| 500 - 975 | Kr. 2,822 |
| 1000 + | Kr. 2,394 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-3877P
- Producentens varenummer:
- SQ2364EES-T1_GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay Siliconix | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 600mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.02mm | |
| Længde | 3.04mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay Siliconix | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 600mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.02mm | ||
Længde 3.04mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Undtaget
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSF
Vishay overflademonteret N-kanal MOSFET er et nyt aldersprodukt med en drænkildespænding på 60 V og en maksimal gate-source spænding på 8 V. Den har en drænkildestyrke på 240 mhms ved en gate-source-spænding på 4,5 V. Den har en maksimal effektspredning på 3 W og kontinuerlig drænstrøm på 2A. Den har en min. og en maksimal kørespænding på 1,5 V og 4,5 V. Den bruges til automotive-anvendelser. MOSFET er optimeret til lavere switching- og ledningstab. MOSFET tilbyder fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Halogenfri
• Afledning (Pb) fri
• Driftstemperaturområdet ligger mellem -55°C og 175°C.
• TrenchFET power MOSFET
Certifikater
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg testet
• UIS testet
Relaterede links
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 2 A 60 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 2.3 A 60 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 8 A 40 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 4.1 A 40 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -0.84 A -150 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -2.5 A -30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 16 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 10 A 30 V Forbedring SC-70, TrenchFET AEC-Q101