Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 4.1 A 40 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 180-8138
- Producentens varenummer:
- SQ2389ES-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om denne vare kommer på lager igen – den er ved at blive udfaset af producenten
- RS-varenummer:
- 180-8138
- Producentens varenummer:
- SQ2389ES-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 188mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.2nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1.12mm | |
| Længde | 3.04mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 188mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.2nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1.12mm | ||
Længde 3.04mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 40 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 94 mohm ved en gate-kildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 3 W og kontinuerlig drænstrøm PÅ 4,1 A. Minimum- og maksimumspændingen for denne MOSFET er hhv. 4,5 V og 10 V. Den anvendes til brug i biler. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Halogenfri
• blyfri (Pb)
Driftstemperaturområde mellem -55 175 C og • C.
• TrenchFET Power MOSFET
Certifikater
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• RG-testet
• UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 4.1 A 40 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -0.84 A -150 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -2.5 A -30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal -4.1 A -40 V Forbedring SOT-23, SQ2389CES AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 2.3 A 60 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 8 A 40 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 2 A 60 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 1.7 A 60 V Forbedring TO-236, TrenchFET AEC-Q101