Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 8 A 40 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET AEC-Q101 SQ2318AES-T1_GE3

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om denne vare kommer på lager igen – den er ved at blive udfaset af producenten
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
180-8032
Producentens varenummer:
SQ2318AES-T1_GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

SOT-23

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

36mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

3W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

8.7nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

3.04mm

Bredde

2.64 mm

Højde

1.12mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay overflademonteret N-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 40 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 31 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 3 W og kontinuerlig drænstrøm på 8 A. Minimum- og maksimumspændingen for denne MOSFET er hhv. 4,5 V og 10 V. Den kan anvendes i belastningsafbrydere til bærbare enheder. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 175 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Certifikater


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• RG-testet

• UIS-testet

Relaterede links