Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 8 A 40 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 180-8032
- Producentens varenummer:
- SQ2318AES-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om denne vare kommer på lager igen – den er ved at blive udfaset af producenten
- RS-varenummer:
- 180-8032
- Producentens varenummer:
- SQ2318AES-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 36mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.7nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.04mm | |
| Højde | 1.12mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 36mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.7nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.04mm | ||
Højde 1.12mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay overflademonteret N-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 40 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 31 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 3 W og kontinuerlig drænstrøm på 8 A. Minimum- og maksimumspændingen for denne MOSFET er hhv. 4,5 V og 10 V. Den kan anvendes i belastningsafbrydere til bærbare enheder. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Halogenfri
• blyfri (Pb)
Driftstemperaturområde mellem -55 175 C og • C.
• TrenchFET Power MOSFET
Certifikater
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• RG-testet
• UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 8 A 40 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 2.3 A 60 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 2 A 60 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 4.1 A 40 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -0.84 A -150 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -2.5 A -30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 6 A 20 V Forbedring SOT-23, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 8 A 30 V Forbedring SOT-23, SQ AEC-Q101