Vishay Type N-Kanal, TrenchFET Power MOSFET, 6 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, SQ Rugged AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 787-9443
- Producentens varenummer:
- SQ2310ES-T1_BE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 60,59
(ekskl. moms)
Kr. 75,74
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Udgår
- Plus 10 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
- Sidste 1.810 enhed(er) afsendes fra 15. juni 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 6,059 | Kr. 60,59 |
| 100 - 240 | Kr. 5,939 | Kr. 59,39 |
| 250 - 490 | Kr. 4,668 | Kr. 46,68 |
| 500 - 990 | Kr. 2,97 | Kr. 29,70 |
| 1000 + | Kr. 2,663 | Kr. 26,63 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 787-9443
- Producentens varenummer:
- SQ2310ES-T1_BE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | TrenchFET Power MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.03Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 3.04mm | |
| Højde | 1.02mm | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21, RoHS: 2002/95/EC | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype TrenchFET Power MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie SQ Rugged | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.03Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 3.04mm | ||
Højde 1.02mm | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21, RoHS: 2002/95/EC | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
N-Channel MOSFET, robust SQ-serie til bilindustrien, Vishay Semiconductor
SQ-serien af MOSFETer fra Vishay Semiconductor er designet til alle biler, der kræver robusthed og høj pålidelighed.
Fordelene ved SQ robust serie af Mosfets
• AEC-Q101 kvalificeret
• Forbindelsestemperatur op til +175 °C
• Lav modstand ved n- og p-kanal TrenchFET® teknologier
• Innovative pladsbesparende huse
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Approvals
AEC-Q101
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 6 A 20 V Forbedring SOT-23, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 2.2 A 20 V Forbedring SOT-23, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 25 A 60 V Forbedring TO-252, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 8 A 20 V Forbedring TSOP, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 12 A 60 V Forbedring SOIC, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 6.2 A 30 V Forbedring SOIC, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 17 A 40 V Forbedring SOIC, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 32 A 40 V Forbedring SO-8, SQ Rugged AEC-Q101
