Vishay Type P-Kanal, TrenchFET Power MOSFET, 1.7 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-236, TrenchFET AEC-Q101

RS-varenummer:: 180-7990
Producentens varenummer:: SQ2309ES-T1_GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type P-Kanal, TrenchFET Power MOSFET, 1.7 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-236, TrenchFET AEC-Q101

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 77,94

(ekskl. moms)

Kr. 97,42

(inkl. moms)

Tilføj 140 enheder for at opnå gratis levering

Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.

Restlager hos RS

Sidste 380 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
20 - 180	Kr. 3,897	Kr. 77,94
200 - 480	Kr. 3,116	Kr. 62,32
500 - 980	Kr. 2,338	Kr. 46,76
1000 - 1980	Kr. 1,953	Kr. 39,06
2000 +	Kr. 1,754	Kr. 35,08

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-7990
Producentens varenummer:: SQ2309ES-T1_GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	TrenchFET Power MOSFET
	Kanaltype	Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	1.7A
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Emballagetype	TO-236
	Serie	TrenchFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	0.335Ω
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	2W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	8.5nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20 V
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	AEC-Q101, IEC 61249-2-21, RoHS (2002/95/EC)
	Længde	3.04mm
	Bredde	2.64 mm
	Højde	1.12mm
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype TrenchFET Power MOSFET
	Kanaltype Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.7A
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Emballagetype TO-236
	Serie TrenchFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 0.335Ω
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 2W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.5nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20 V
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser AEC-Q101, IEC 61249-2-21, RoHS (2002/95/EC)
	Længde 3.04mm
	Bredde 2.64 mm
	Højde 1.12mm
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 60 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 15,5 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har kontinuerlig drænstrøm på 50 A og maksimalt effekttab på 136W. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne transistor er hhv. 4,5 V og 10 V. Den anvendes til brug i biler. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 175 C og • C.

• hus med lav termisk modstand

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder

• adapterkontakt

• Belastningskontakter

Certifikater

• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• RG-testet

• UIS-testet