Vishay Type P-Kanal, TrenchFET Power MOSFET, 1.7 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-236, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 180-7990
- Producentens varenummer:
- SQ2309ES-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 60,22
(ekskl. moms)
Kr. 75,28
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 380 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 3,011 | Kr. 60,22 |
| 200 - 480 | Kr. 2,405 | Kr. 48,10 |
| 500 - 980 | Kr. 1,81 | Kr. 36,20 |
| 1000 - 1980 | Kr. 1,507 | Kr. 30,14 |
| 2000 + | Kr. 1,354 | Kr. 27,08 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7990
- Producentens varenummer:
- SQ2309ES-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | TrenchFET Power MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | TO-236 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.335Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.5nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101, IEC 61249-2-21, RoHS (2002/95/EC) | |
| Højde | 1.12mm | |
| Længde | 3.04mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype TrenchFET Power MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype TO-236 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.335Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.5nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101, IEC 61249-2-21, RoHS (2002/95/EC) | ||
Højde 1.12mm | ||
Længde 3.04mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 60 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 15,5 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har kontinuerlig drænstrøm på 50 A og maksimalt effekttab på 136W. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne transistor er hhv. 4,5 V og 10 V. Den anvendes til brug i biler. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Halogenfri
• blyfri (Pb)
Driftstemperaturområde mellem -55 175 C og • C.
• hus med lav termisk modstand
• TrenchFET Power MOSFET
Anvendelsesområder
• adapterkontakt
• Belastningskontakter
Certifikater
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• RG-testet
• UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 1.7 A 60 V Forbedring TO-236, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 4.1 A 40 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -175 A -80 V Forbedring PowerPAK (8x8L), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -222 A -60 V Forbedring PowerPAK (8x8L), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -8 A -12 V Forbedring TSOP-6, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -0.84 A -150 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -5.3 A -60 V Forbedring TSOP-6, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -8 A -20 V Forbedring TSOP-6, TrenchFET AEC-Q101