Vishay Type P-Kanal, TrenchFET Power MOSFET, 1.7 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-236, TrenchFET AEC-Q101

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
180-7397
Producentens varenummer:
SQ2309ES-T1_GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

TrenchFET Power MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.7A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TO-236

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.335Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

8.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

3.04mm

Bredde

2.64 mm

Højde

1.12mm

Standarder/godkendelser

AEC-Q101, IEC 61249-2-21, RoHS (2002/95/EC)

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 60 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 15,5 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har kontinuerlig drænstrøm på 50 A og maksimalt effekttab på 136W. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne transistor er hhv. 4,5 V og 10 V. Den anvendes til brug i biler. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 175 C og • C.

• hus med lav termisk modstand

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder


• adapterkontakt

• Belastningskontakter

Certifikater


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• RG-testet

• UIS-testet

Relaterede links

Recently viewed