Vishay Siliconix Type P-Kanal, MOSFET, 10 A 30 V Forbedring, 6 Ben, SC-70, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 178-3897
- Producentens varenummer:
- SQA403EJ-T1_GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 78,75
(ekskl. moms)
Kr. 98,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 + | Kr. 3,15 | Kr. 78,75 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-3897
- Producentens varenummer:
- SQA403EJ-T1_GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay Siliconix | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SC-70 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 30mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 13.6W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 26nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.2mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay Siliconix | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SC-70 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 30mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 13.6W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 26nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.2mm | ||
Højde 1mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Undtaget
- COO (Country of Origin):
- CN
TrenchFET® power MOSFET
Relaterede links
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 10 A 30 V Forbedring SC-70, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 2.68 A 20 V Forbedring SC-70, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 16 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 9.4 A 200 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 30 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 12 A 60 V Forbedring SC-70-6L, TrenchFET
- Vishay Siliconix 2 Type N MOSFET 8 Ben TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 75 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101