Vishay Siliconix Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Forbedring, 6 Ben, SC-70-6L, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 178-3901
- Producentens varenummer:
- SiA106DJ-T1-GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 80,78
(ekskl. moms)
Kr. 100,98
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 810 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 8,078 | Kr. 80,78 |
| 50 - 90 | Kr. 7,286 | Kr. 72,86 |
| 100 - 490 | Kr. 6,859 | Kr. 68,59 |
| 500 - 990 | Kr. 6,455 | Kr. 64,55 |
| 1000 + | Kr. 5,662 | Kr. 56,62 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-3901
- Producentens varenummer:
- SiA106DJ-T1-GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay Siliconix | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SC-70-6L | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0185Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 19W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.9nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.2mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay Siliconix | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SC-70-6L | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0185Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 19W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.9nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.2mm | ||
Højde 1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Undtaget
- COO (Country of Origin):
- CN
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET
Meget lav RDS - Qg Figure-of-Merit (FOM)
Tunet til den laveste RDS - Qoss
Relaterede links
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 12 A 60 V Forbedring SC-70-6L, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 8.8 A 100 V Forbedring SC-70-6L, SIA
- Vishay Type P-Kanal 12 A 12 V Forbedring SC-70, TrenchFET
- Vishay P-kanal-Kanal -36 A -20 V Forbedring PowerPAK SC-70, TrenchFET
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 10 A 30 V Forbedring SC-70, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 2.68 A 20 V Forbedring SC-70, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 4.5 A 20 V Forbedring SC-70, TrenchFET
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 14.2 A 100 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET