Vishay Siliconix Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Forbedring, 6 Ben, SC-70-6L, TrenchFET Nej SiA106DJ-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 42,42

(ekskl. moms)

Kr. 53,02

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 4,242Kr. 42,42
50 - 90Kr. 3,831Kr. 38,31
100 - 490Kr. 3,601Kr. 36,01
500 - 990Kr. 3,385Kr. 33,85
1000 +Kr. 2,974Kr. 29,74

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
178-3901
Producentens varenummer:
SiA106DJ-T1-GE3
Brand:
Vishay Siliconix
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay Siliconix

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SC-70-6L

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

0.0185Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

19W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.9nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

±20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

1.35 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1mm

Længde

2.2mm

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Meget lav RDS - Qg Figure-of-Merit (FOM)

Tunet til den laveste RDS - Qoss

Relaterede links