Vishay Siliconix Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Forbedring, 6 Ben, SC-70-6L, TrenchFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 42,42

(ekskl. moms)

Kr. 53,02

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 17. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 4,242Kr. 42,42
50 - 90Kr. 3,831Kr. 38,31
100 - 490Kr. 3,601Kr. 36,01
500 - 990Kr. 3,385Kr. 33,85
1000 +Kr. 2,974Kr. 29,74

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
178-3901
Producentens varenummer:
SiA106DJ-T1-GE3
Brand:
Vishay Siliconix
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay Siliconix

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SC-70-6L

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

0.0185Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

19W

Portkildespænding maks.

±20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.9nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.35 mm

Længde

2.2mm

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Meget lav RDS - Qg Figure-of-Merit (FOM)

Tunet til den laveste RDS - Qoss

Relaterede links