Vishay N-Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Forbedring, 6 Ben, SC-70-6L, TrenchFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 80,78

(ekskl. moms)

Kr. 100,98

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 210 enhed(er) afsendes fra 02. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 8,078Kr. 80,78
50 - 90Kr. 7,286Kr. 72,86
100 - 490Kr. 6,859Kr. 68,59
500 - 990Kr. 6,455Kr. 64,55
1000 +Kr. 5,662Kr. 56,62

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
178-3901
Producentens varenummer:
SiA106DJ-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SC-70-6L

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

0.0185Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

19W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.9nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1mm

Længde

2.2mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.35mm

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Meget lav RDS - Qg Figure-of-Merit (FOM)

Tunet til den laveste RDS - Qoss

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.