Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 12 A 12 V Forbedring, 6 Ben, SC-70, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 787-9288
- Producentens varenummer:
- SIA447DJ-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 10 enheder)*
Kr. 30,52
(ekskl. moms)
Kr. 38,15
(inkl. moms)
Tilføj 180 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- 2.060 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 3,052 | Kr. 30,52 |
| 100 - 490 | Kr. 2,902 | Kr. 29,02 |
| 500 - 990 | Kr. 2,603 | Kr. 26,03 |
| 1000 - 2490 | Kr. 1,586 | Kr. 15,86 |
| 2500 + | Kr. 1,466 | Kr. 14,66 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 787-9288
- Producentens varenummer:
- SIA447DJ-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 12V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SC-70 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 71mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 52nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 19W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.8mm | |
| Bredde | 1.7 mm | |
| Længde | 1.7mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 12V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SC-70 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 71mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 52nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 19W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.8mm | ||
Bredde 1.7 mm | ||
Længde 1.7mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 12 A 12 V Forbedring SC-70, TrenchFET
- Vishay 2 Type P Effekt MOSFET 6 Ben TrenchFET
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 12 A 60 V Forbedring SC-70-6L, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 12 A 20 V Forbedring SC-70, SiA461DJ
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 4.5 A 20 V Forbedring SC-70, TrenchFET
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 1.1 A 20 V Forbedring SC-88, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 8 A 12 V Forbedring TSOP, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 4 A 12 V Forbedring US, TrenchFET
