Vishay 2 Type P, Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 135 mA 60 V Forbedring, 6 Ben, SC-89-6, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 165-6899
- Producentens varenummer:
- SI1025X-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 165-6899
- Producentens varenummer:
- SI1025X-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P, Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 135mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SC-89-6 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.4V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.7nC | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.6mm | |
| Bredde | 1.2mm | |
| Længde | 1.7mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P, Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 135mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SC-89-6 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.4V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.7nC | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.6mm | ||
Bredde 1.2mm | ||
Længde 1.7mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Dobbelt P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay 2 Type P MOSFET 6 Ben TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 0.5 A 20 V Forbedring SC-89, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 4 A 12 V Forbedring US, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 0.52 A 150 V Forbedring US, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 8 A 30 V Forbedring TSOP, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 8 A 12 V Forbedring TSOP, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 8 A 20 V Forbedring TSOP, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 5.4 A 80 V Forbedring TSOP, TrenchFET
