Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 8 A 12 V Forbedring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET Nej SI3477DV-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 69,72

(ekskl. moms)

Kr. 87,16

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 180Kr. 3,486Kr. 69,72
200 - 480Kr. 3,276Kr. 65,52
500 - 980Kr. 3,134Kr. 62,68
1000 - 1980Kr. 2,783Kr. 55,66
2000 +Kr. 2,618Kr. 52,36

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
812-3160
Producentens varenummer:
SI3477DV-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8A

Drain source spænding maks. Vds

12V

Emballagetype

TSOP

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

33mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

4.2W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

58nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

10 V

Gennemgangsspænding Vf

-0.8V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.1mm

Højde

1mm

Bredde

1.7 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

P-kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links