Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 8 A 12 V Forbedring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 119,08

(ekskl. moms)

Kr. 148,84

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 22. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 180Kr. 5,954Kr. 119,08
200 - 480Kr. 5,592Kr. 111,84
500 - 980Kr. 5,348Kr. 106,96
1000 - 1980Kr. 4,754Kr. 95,08
2000 +Kr. 4,47Kr. 89,40

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
812-3160
Producentens varenummer:
SI3477DV-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8A

Drain source spænding maks. Vds

12V

Emballagetype

TSOP

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

33mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

4.2W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

58nC

Gennemgangsspænding Vf

-0.8V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.1mm

Højde

1mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

P-kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.