Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 8 A 20 V Forbedring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 134-9155
- Producentens varenummer:
- SI3493DDV-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 4.467,00
(ekskl. moms)
Kr. 5.583,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 22. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | Kr. 1,489 | Kr. 4.467,00 |
| 6000 + | Kr. 1,414 | Kr. 4.242,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 134-9155
- Producentens varenummer:
- SI3493DDV-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | TSOP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 51mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 34.8nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.6W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype TSOP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 51mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 34.8nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.6W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 8 A 20 V Forbedring TSOP, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 8 A 30 V Forbedring TSOP, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 8 A 12 V Forbedring TSOP, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 5.4 A 80 V Forbedring TSOP, TrenchFET
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 2.3 A 30 V Forbedring TSOP, TrenchFET
- Vishay 2 Type N MOSFET 6 Ben TrenchFET
- Vishay 2 Type P MOSFET 8 Ben TrenchFET
- Vishay P-kanal-Kanal -3.1 A -20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET