Vishay 2 Type P, Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 4 A 20 V Forbedring, 8 Ben, TSOP, TrenchFET

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
RS-varenummer:
180-7304
Producentens varenummer:
SI5515CDC-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P, Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

TSOP

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.156

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

3.1W

Portkildespænding maks.

8V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

7.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Højde

1mm

Længde

3.05mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.65mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay overflademonteret 2-kanals MOSFET (både P- og N-kanaler) er et nyt produkt med en drænkildespænding på 20 V og en drænkildemodstand på 36 Mohm ved en gate-kildespænding på 4,5 V. Den har en maksimal nominel effekt på 3,1 W. MOSFET'en har en kontinuerlig drænstrøm på 4 A. Den kan anvendes i belastningsafbrydere til bærbare enheder. MOSFET er blevet optimeret til lavere skift og ledningstab.

Egenskaber og fordele


• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Certifikater


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• RG-testet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.