Vishay 2 Type P, Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 4 A 20 V Forbedring, 8 Ben, TSOP, TrenchFET Nej SI5515CDC-T1-GE3

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 87,18

(ekskl. moms)

Kr. 108,98

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.960 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 +Kr. 4,359Kr. 87,18

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
180-7787
Producentens varenummer:
SI5515CDC-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P, Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

TSOP

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

8 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

3.1W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

7.5nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Højde

1mm

Længde

3.05mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.65 mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay overflademonteret 2-kanals MOSFET (både P- og N-kanaler) er et nyt produkt med en drænkildespænding på 20 V og en drænkildemodstand på 36 Mohm ved en gate-kildespænding på 4,5 V. Den har en maksimal nominel effekt på 3,1 W. MOSFET'en har en kontinuerlig drænstrøm på 4 A. Den kan anvendes i belastningsafbrydere til bærbare enheder. MOSFET er blevet optimeret til lavere skift og ledningstab.

Egenskaber og fordele


• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Certifikater


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• RG-testet

Relaterede links