Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 5.4 A 80 V Forbedring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET Nej Si3129DV-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 228-2817
- Producentens varenummer:
- Si3129DV-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 108,60
(ekskl. moms)
Kr. 135,75
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 5.875 enhed(er) afsendes fra 02. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | Kr. 4,344 | Kr. 108,60 |
| 250 - 600 | Kr. 3,916 | Kr. 97,90 |
| 625 - 1225 | Kr. 3,695 | Kr. 92,38 |
| 1250 - 2475 | Kr. 2,822 | Kr. 70,55 |
| 2500 + | Kr. 2,175 | Kr. 54,38 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2817
- Producentens varenummer:
- Si3129DV-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | TSOP | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 82.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 4.2W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype TSOP | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 82.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 4.2W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay TrenchFET P-kanal Power MOSFET er beregnet til strømstyring af bærbare og forbruger-belastningsafbrydere og DC/DC-konvertere.
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay P-Kanal 5 6 ben TrenchFET Si3129DV-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 8 A 12 V TSOP-6, TrenchFET SI3477DV-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 8 A 30 V TSOP-6, TrenchFET SI3421DV-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 8 A 20 V TSOP-6, TrenchFET SI3493DDV-T1-GE3
- Vishay N/P-Kanal-Kanal 3 2 6 ben TrenchFET SI3585CDV-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 6 A 20 V TSOP-6 SI3433CDV-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 5 6 ben, TSOP-6 SI3457CDV-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 3 6 ben, TSOP-6 SI3499DV-T1-GE3
