Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 2.3 A 30 V Forbedring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 812-3189
- Producentens varenummer:
- SI3993CDV-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 63,74
(ekskl. moms)
Kr. 79,68
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 3,187 | Kr. 63,74 |
| 200 - 480 | Kr. 2,356 | Kr. 47,12 |
| 500 - 980 | Kr. 1,979 | Kr. 39,58 |
| 1000 - 1980 | Kr. 1,754 | Kr. 35,08 |
| 2000 + | Kr. 1,593 | Kr. 31,86 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 812-3189
- Producentens varenummer:
- SI3993CDV-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | TSOP | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 188mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.2nC | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.4W | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Længde | 3.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype TSOP | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 188mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.2nC | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.4W | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Længde 3.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Dobbelt P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 2.3 A 30 V Forbedring TSOP, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 8 A 30 V Forbedring TSOP, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 8 A 12 V Forbedring TSOP, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 8 A 20 V Forbedring TSOP, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 5.4 A 80 V Forbedring TSOP, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 12 A 30 V Forbedring US, TrenchFET
- Vishay 2 Type N MOSFET 6 Ben TrenchFET
- Vishay 2 Type P MOSFET 8 Ben TrenchFET