Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 2.3 A 30 V Forbedring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET Nej SI3993CDV-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 812-3189
- Producentens varenummer:
- SI3993CDV-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 70,10
(ekskl. moms)
Kr. 87,62
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.560 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 3,505 | Kr. 70,10 |
| 200 - 480 | Kr. 2,588 | Kr. 51,76 |
| 500 - 980 | Kr. 2,177 | Kr. 43,54 |
| 1000 - 1980 | Kr. 1,93 | Kr. 38,60 |
| 2000 + | Kr. 1,751 | Kr. 35,02 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 812-3189
- Producentens varenummer:
- SI3993CDV-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | TSOP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 188mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.4W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.2nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.1mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bredde | 1.7 mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype TSOP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 188mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.4W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.2nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.1mm | ||
Højde 1mm | ||
Bredde 1.7 mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Dobbelt P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay P-Kanal 2 6 ben, TSOP-6 SI3993CDV-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 6 TSOP-6 SI3483DDV-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 5 6 ben, TSOP-6 SI3457CDV-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 6 A 20 V TSOP-6 SI3433CDV-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 8 A 30 V TSOP-6, TrenchFET SI3421DV-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 7 TSOP-6 SI3438DV-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 4 A 20 V, TSOP-6 SI3443DDV-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 1 TSOP-6 SI3437DV-T1-GE3
