Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 2.3 A 30 V Forbedring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 812-3189
- Producentens varenummer:
- SI3993CDV-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 63,74
(ekskl. moms)
Kr. 79,68
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.520 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 3,187 | Kr. 63,74 |
| 200 - 480 | Kr. 2,356 | Kr. 47,12 |
| 500 - 980 | Kr. 1,979 | Kr. 39,58 |
| 1000 - 1980 | Kr. 1,754 | Kr. 35,08 |
| 2000 + | Kr. 1,593 | Kr. 31,86 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 812-3189
- Producentens varenummer:
- SI3993CDV-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | TSOP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 188mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.2nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.4W | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.1mm | |
| Bredde | 1.7mm | |
| Højde | 1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype TSOP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 188mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.2nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.4W | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.1mm | ||
Bredde 1.7mm | ||
Højde 1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay TrenchFET seriens Power MOSFET, 30 V drain source spænding, 2,3 A kontinuerlig drain strøm - SI3993CDV-T1-GE3
Denne effekt-MOSFET er en overflademonteret P-kanal-transistor, der er designet til koblings- og belastningsstyringsroller i kompakte elektroniske enheder. Den giver en isoleret transistorkonfiguration i et TSOP-hus med lav profil og er beregnet til anvendelser, der kræver moderat strømhåndtering og kontrolleret gate-drev inden for et 30 V spændingsmiljø.
Egenskaber og fordele:
• P-kanal-forbedringstilstand muliggør enkel high-side-switching
• Kontinuerlig spidsbelastningsstrøm på 2,3 A understøtter moderate belastninger
• Lav Rds(on) ved 188 mΩ reducerer ledningstab
• Typisk gate-opladning på 5,2 nC muliggør hurtige gate-overgange
• Maks. effekttab på 1,4 W håndterer termisk belastning i små kort
• 6-benet pakke til overflademontering muliggør kompakt placering af printkort
• Kontinuerlig spidsbelastningsstrøm på 2,3 A understøtter moderate belastninger
• Lav Rds(on) ved 188 mΩ reducerer ledningstab
• Typisk gate-opladning på 5,2 nC muliggør hurtige gate-overgange
• Maks. effekttab på 1,4 W håndterer termisk belastning i små kort
• 6-benet pakke til overflademontering muliggør kompakt placering af printkort
Anvendelser
• Velegnet til batteridrevne high-side-switchingkredsløb
• Ideel til frakobling af DC-belastning og blokering af omvendt strøm
• Anvendes sammen med strømstyringsmoduler i forbrugerenheder
• Kan bruges til niveauskiftet portstyring i kompakte enheder
• Ideel til frakobling af DC-belastning og blokering af omvendt strøm
• Anvendes sammen med strømstyringsmoduler i forbrugerenheder
• Kan bruges til niveauskiftet portstyring i kompakte enheder
Hvilke portdrevbegrænsninger skal jeg overveje?
Enheden accepterer op til ±20 V mellem port og kilde, så portdrevskredsløb skal holde Vgs inden for dette område for at forhindre portbelastning.
Hvor tåler den ekstreme temperaturer under drift?
Den fungerer over et bredt temperaturområde fra -55 °C til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med kraftig termisk variation.
Hvor mange transistorelementer indeholder indsatsen, og hvad er pakkenes antal ben?
Chippen integrerer to elementer, og pakken har seks ben til korttilslutninger.
Hvad er den maksimale drain-source-spænding, og hvordan påvirker det kredsløbsdesign?
MOSFET'en er mærket til 30 V mellem drain og source, så den bør bruges, hvor forsyningsskinner og transienter forbliver under denne tærskel.