Vishay Type P-Kanal, Effekt MOSFET, 12 A 30 V Forbedring, 6 Ben, US, TrenchFET Nej SIA449DJ-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 58,72

(ekskl. moms)

Kr. 73,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 2.920 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 180Kr. 2,936Kr. 58,72
200 - 480Kr. 2,169Kr. 43,38
500 - 980Kr. 1,818Kr. 36,36
1000 - 1980Kr. 1,616Kr. 32,32
2000 +Kr. 1,175Kr. 23,50

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
814-1213
Producentens varenummer:
SIA449DJ-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

US

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

0.038Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

-0.8V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

19W

Portkildespænding maks.

12 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

23.1nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

2.15mm

Højde

0.8mm

Bredde

2.15 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

P-kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links