Vishay Type P-Kanal, Effekt MOSFET, 12 A 30 V Forbedring, 6 Ben, US, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 814-1213
- Producentens varenummer:
- SIA449DJ-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 18,04
(ekskl. moms)
Kr. 22,56
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 2.920 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 + | Kr. 0,902 | Kr. 18,04 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 814-1213
- Producentens varenummer:
- SIA449DJ-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | US | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.038Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.8V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23.1nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 19W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.8mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 2.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype US | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.038Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.8V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23.1nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 19W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.8mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 2.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 12 A 30 V Forbedring US, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 4 A 12 V Forbedring US, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 0.52 A 150 V Forbedring US, TrenchFET
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 4 A 20 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 6.5 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 2.3 A 30 V Forbedring TSOP, TrenchFET
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 1.1 A 20 V Forbedring SC-88, TrenchFET
- Vishay 2 Type P Effekt MOSFET 6 Ben TrenchFET