Vishay 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 4.5 A 12 V Forbedring, 6 Ben, SC-70, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 814-1225
- Producentens varenummer:
- SIA517DJ-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 76,16
(ekskl. moms)
Kr. 95,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 10. juni 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 3,808 | Kr. 76,16 |
| 200 - 480 | Kr. 3,351 | Kr. 67,02 |
| 500 - 980 | Kr. 2,82 | Kr. 56,40 |
| 1000 - 1980 | Kr. 2,667 | Kr. 53,34 |
| 2000 + | Kr. 2,308 | Kr. 46,16 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 814-1225
- Producentens varenummer:
- SIA517DJ-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 12V | |
| Emballagetype | SC-70 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 170mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 6.5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9.7nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Bredde | 2.15mm | |
| Højde | 0.8mm | |
| Længde | 2.15mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 12V | ||
Emballagetype SC-70 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 170mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 6.5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.7nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Bredde 2.15mm | ||
Højde 0.8mm | ||
Længde 2.15mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN