Vishay 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 4.5 A 12 V Forbedring, 6 Ben, SC-70, TrenchFET

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 76,16

(ekskl. moms)

Kr. 95,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 21. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 180Kr. 3,808Kr. 76,16
200 - 480Kr. 3,351Kr. 67,02
500 - 980Kr. 2,82Kr. 56,40
1000 - 1980Kr. 2,667Kr. 53,34
2000 +Kr. 2,308Kr. 46,16

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
814-1225
Producentens varenummer:
SIA517DJ-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

Type P, Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.5A

Drain source spænding maks. Vds

12V

Emballagetype

SC-70

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

170mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

9.7nC

Min. driftstemperatur

150°C

Effektafsættelse maks. Pd

6.5W

Transistorkonfiguration

Isoleret

Driftstemperatur maks.

-55°C

Højde

0.8mm

Længde

2.15mm

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Dobbelt N/P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.