Vishay N/P-Kanal-Kanal, MOSFET, 4,3 A, 4,5 A 12 V, 6 ben, SOT-363 SIA517DJ-T1-GE3

RS-varenummer:: 814-1225
Producentens varenummer:: SIA517DJ-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay N/P-Kanal-Kanal, MOSFET, 4,3 A, 4,5 A 12 V, 6 ben, SOT-363 SIA517DJ-T1-GE3

Der er mulighed for mængderabat

Pris pr. stk. (Leveres i pakke af 20)

Kr. 3,602

(ekskl. moms)

Kr. 4,502

(inkl. moms)

Varen er desværre i restordre, forventet afsendelsesdato 01-01-2026*

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

Dag til dag levering ikke mulig

Enheder	Pr stk.	Pr pakke**
20 - 180	Kr. 3,602	Kr. 72,04
200 - 480	Kr. 3,171	Kr. 63,42
500 - 980	Kr. 2,666	Kr. 53,32
1000 - 1980	Kr. 2,525	Kr. 50,50
2000 +	Kr. 2,16	Kr. 43,20

RS-varenummer:: 814-1225
Producentens varenummer:: SIA517DJ-T1-GE3
Brand:: Vishay

SiA517DJ, N- and P-Channel 12V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Kanaltype	N, P
Drain-strøm kontinuerlig maks.	4,3 A, 4,5 A
Drain source spænding maks.	12 V
Kapslingstype	SOT-363
Monteringstype	Overflademontering
Benantal	6
Drain source modstand maks.	65 mΩ, 170 mΩ
Kanalform	Enhancement
Mindste tærskelspænding for port	0.4V
Effektafsættelse maks.	6,5 W
Transistorkonfiguration	Isoleret
Gate source spænding maks.	-8 V, +8 V
Antal elementer per chip	2
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Bredde	2.15mm
Længde	2.15mm
Transistormateriale	Si
Gate-ladning ved Vgs typisk	13,1 nC ved 8 V, 9,7 nC ved 8 V
Driftstemperatur min.	-55 °C
Højde	0.8mm

Vishay N/P-Kanal-Kanal, MOSFET, 4,3 A, 4,5 A 12 V, 6 ben, SOT-363 SIA517DJ-T1-GE3

Dobbelt N/P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor

Relaterede links