Vishay N/P-Kanal-Kanal, MOSFET, 4,3 A, 4,5 A 12 V, 6 ben, SOT-363 SIA517DJ-T1-GE3

RS-varenummer:: 165-7183
Producentens varenummer:: SIA517DJ-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay N/P-Kanal-Kanal, MOSFET, 4,3 A, 4,5 A 12 V, 6 ben, SOT-363 SIA517DJ-T1-GE3

Pris pr. stk. Pr. stk. (på Rulle á 3000)

Kr. 1,903

(ekskl. moms)

Kr. 2,379

(inkl. moms)

Varen er desværre i restordre, forventet afsendelsesdato 31-12-2025*

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

Dag til dag levering ikke mulig

Enheder	Pr stk.	Pr rulle**
3000 +	Kr. 1,903	Kr. 5.709,00

RS-varenummer:: 165-7183
Producentens varenummer:: SIA517DJ-T1-GE3
Brand:: Vishay

SiA517DJ, N- and P-Channel 12V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Kanaltype	N, P
Drain-strøm kontinuerlig maks.	4,3 A, 4,5 A
Drain source spænding maks.	12 V
Kapslingstype	SOT-363
Monteringstype	Overflademontering
Benantal	6
Drain source modstand maks.	65 mΩ, 170 mΩ
Kanalform	Enhancement
Mindste tærskelspænding for port	0.4V
Effektafsættelse maks.	6,5 W
Transistorkonfiguration	Isoleret
Gate source spænding maks.	-8 V, +8 V
Gate-ladning ved Vgs typisk	13,1 nC ved 8 V, 9,7 nC ved 8 V
Bredde	2.15mm
Antal elementer per chip	2
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Transistormateriale	Si
Længde	2.15mm
Driftstemperatur min.	-55 °C
Højde	0.8mm

Vishay N/P-Kanal-Kanal, MOSFET, 4,3 A, 4,5 A 12 V, 6 ben, SOT-363 SIA517DJ-T1-GE3

Dobbelt N/P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor

Relaterede links