Vishay 2 N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 1.3 A 20 V Forbedring, 6 Ben, SC-88, TrenchFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 214,55

(ekskl. moms)

Kr. 268,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 09. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
50 +Kr. 4,291Kr. 214,55

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
812-3091
Producentens varenummer:
SI1922EDH-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.3A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SC-88

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

263mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

1.6nC

Portkildespænding maks.

-8V, +8V

Effektafsættelse maks. Pd

1.25W

Min. driftstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Driftstemperatur maks.

+150°C

Længde

2.2mm

Bredde

1.35mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Dobbelt N-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.