Vishay 2 Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 1.3 A 20 V Forbedring, 6 Ben, SC-88, TrenchFET

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 111,30

(ekskl. moms)

Kr. 139,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • 2.950 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
50 +Kr. 2,226Kr. 111,30

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
812-3091
Producentens varenummer:
SI1922EDH-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.3A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

SC-88

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

263mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

1.25W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

1.6nC

Portkildespænding maks.

8 V

Min. driftstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Driftstemperatur maks.

-55°C

Bredde

1.35 mm

Længde

2.2mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Dobbelt N-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links