Vishay 2 Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 1.3 A 20 V Forbedring, 6 Ben, SC-88, TrenchFET Nej SI1922EDH-T1-GE3

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 111,30

(ekskl. moms)

Kr. 139,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
50 +Kr. 2,226Kr. 111,30

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
812-3091
Producentens varenummer:
SI1922EDH-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.3A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SC-88

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

263mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

150°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

1.6nC

Portkildespænding maks.

8 V

Effektafsættelse maks. Pd

1.25W

Driftstemperatur maks.

-55°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Bredde

1.35 mm

Længde

2.2mm

Højde

1mm

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Dobbelt N-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links