Vishay 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 700 mA 20 V Forbedring, 6 Ben, SC-70-6, TrenchFET

RS-varenummer:: 812-3094
Producentens varenummer:: SI1553CDL-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 700 mA 20 V Forbedring, 6 Ben, SC-70-6, TrenchFET

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 43,22

(ekskl. moms)

Kr. 54,02

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

560 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
20 +	Kr. 2,161	Kr. 43,22

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 812-3094
Producentens varenummer:: SI1553CDL-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type P, Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	700mA
	Drain source spænding maks. Vds	20V
	Emballagetype	SC-70-6
	Serie	TrenchFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	6
	Drain source modstand maks. Rds	1.48mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	340mW
	Portkildespænding maks.	12V, -12V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	1.2nC
	Transistorkonfiguration	Isoleret
	Driftstemperatur maks.	+150°C
	Længde	2.2mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	1.35mm
	Højde	1mm
	Antal elementer per chip	2
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type P, Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 700mA
	Drain source spænding maks. Vds 20V
	Emballagetype SC-70-6
	Serie TrenchFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 6
	Drain source modstand maks. Rds 1.48mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 340mW
	Portkildespænding maks. 12V, -12V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.2nC
	Transistorkonfiguration Isoleret
	Driftstemperatur maks. +150°C
	Længde 2.2mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 1.35mm
	Højde 1mm
	Antal elementer per chip 2
	Bilindustristandarder Nej

Vishay TrenchFET seriens MOSFET, 20 V maksimal drain source-spænding, 700 mA maksimal kontinuerlig drain-strøm - SI1553CDL-T1-GE3

Denne MOSFET er en kompakt dobbeltkanals overflademonteret transistor, der er designet til koblings- og analoge opgaver i små opstillingsenheder. Den integrerer både P-kanal- og N-kanalenheder på en enkelt chip, hvilket muliggør komplementære switchingtopologier og forenklede krav til designere, der arbejder med lavspændingsstrømskinner og signalniveauomskiftning.

Egenskaber og fordele:

• Meget lav Rds(on) på 1.48 mΩ for reducerede ledningstab
• Typisk gate-ladning Qg på 1,2 nC for hurtigere gate-drive-respons
• Kontinuerlig mærkestrøm på 700 mA til omskiftning med moderat belastning
• Maks. Vds på 20 V til understøttelse af lavspændingsstrømdomæner
• Effekttabskapacitet på 340 mW til styring af termiske belastninger

Anvendelser

• Velegnet til batteristyring og strømfordelingskredsløb
• Ideel til belastningsswitching i bærbare instrumenter
• Anvendes sammen med niveauskiftende og komplementære FET-trin
• Kan bruges til lavspændings motorstyringsdrivertrin

Hvilken indkapslingstype bruger den, og hvor mange ben er til stede?

Den leveres i en 6-benet SC-70 SMD-pakke, der sparer pladsen på kortet, samtidig med at den giver separate terminaler til dobbelte enheder.

Hvilke gate-spændingsgrænser skal designet overholde?

Gate-til-kilde-spændingen skal være inden for ±12 V for at forhindre belastning på enheden og sikre sikker drift.

Hvilket driftstemperaturområde kan forventes ved implementering?

Den tåler et bredt omgivelsesområde fra -55 °C op til 150 °C, hvilket understøtter krævende termiske miljøer.

Indeholder enheden flere elementer pr. indsats, og hvordan påvirker det layoutet?

Chippen rummer to diskrete elementer, hvilket muliggør spejlføring til komplementære kredsløb og reducerer antallet af komponenter.