Vishay 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 700 mA 20 V Forbedring, 6 Ben, SC-70-6, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 812-3094
- Producentens varenummer:
- SI1553CDL-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 43,22
(ekskl. moms)
Kr. 54,02
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 560 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 + | Kr. 2,161 | Kr. 43,22 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 812-3094
- Producentens varenummer:
- SI1553CDL-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 700mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SC-70-6 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.48mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.2nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 340mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 12, -12V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.35mm | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 2.2mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 700mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SC-70-6 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.48mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.2nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 340mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 12, -12V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.35mm | ||
Højde 1mm | ||
Længde 2.2mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Dobbelt N/P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay 2 Type P MOSFET 6 Ben TrenchFET
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 1.1 A 20 V Forbedring SC-88, TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Isoleret 1.3 A 20 V Forbedring SC-88, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 190 A 60 V Forbedring SC-75, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 12 A 12 V Forbedring SC-70, TrenchFET
- Vishay 2 Type P MOSFET 6 Ben TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 210 mA 20 V Forbedring SC-75, TrenchFET
- Vishay 2 Type P Effekt MOSFET 6 Ben TrenchFET