Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 210 mA 20 V Forbedring, 3 Ben, SC-75, TrenchFET Nej SI1032R-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 787-9024
- Producentens varenummer:
- SI1032R-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 20 enheder)*
Kr. 46,08
(ekskl. moms)
Kr. 57,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Udgår
- Sidste 28.600 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 2,304 | Kr. 46,08 |
| 200 - 480 | Kr. 1,724 | Kr. 34,48 |
| 500 - 980 | Kr. 1,496 | Kr. 29,92 |
| 1000 - 1980 | Kr. 1,264 | Kr. 25,28 |
| 2000 + | Kr. 1,148 | Kr. 22,96 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 787-9024
- Producentens varenummer:
- SI1032R-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 210mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SC-75 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 340mW | |
| Portkildespænding maks. | ±6 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Højde | 0.8mm | |
| Længde | 1.68mm | |
| Bredde | 0.86 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 210mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SC-75 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 340mW | ||
Portkildespænding maks. ±6 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Højde 0.8mm | ||
Længde 1.68mm | ||
Bredde 0.86 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 8 V til 25 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 200 mA 20 V SC-75 SI1032R-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 200 mA 20 V SC-75 SI1032X-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 630 mA 20 V SC-75 SI1012CR-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 370 mA 60 V, SC-70 SI1926DL-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 530 mA 20 V, SC-89 SI1062X-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 30 A 6 V, PowerPAK SC-75 SIB4316EDK-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 1 PowerPAK SC-75 SIB452DK-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 5 6 ben, SC-75 SIB406EDK-T1-GE3
