Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 210 mA 20 V Forbedring, 3 Ben, SC-75, TrenchFET Nej SI1032R-T1-GE3

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 20 enheder)*

Kr. 46,08

(ekskl. moms)

Kr. 57,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Udgår
  • Sidste 28.600 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
20 - 180Kr. 2,304Kr. 46,08
200 - 480Kr. 1,724Kr. 34,48
500 - 980Kr. 1,496Kr. 29,92
1000 - 1980Kr. 1,264Kr. 25,28
2000 +Kr. 1,148Kr. 22,96

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
787-9024
Producentens varenummer:
SI1032R-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

210mA

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

SC-75

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

10Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

340mW

Portkildespænding maks.

±6 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

IEC 61249-2-21, RoHS

Højde

0.8mm

Længde

1.68mm

Bredde

0.86 mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, 8 V til 25 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links