Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 210 mA 20 V Forbedring, 3 Ben, SC-75, TrenchFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 bånd af 20 enheder)*

Kr. 116,54

(ekskl. moms)

Kr. 145,68

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 22.600 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder
Per stk.
Pr bånd*
20 - 180Kr. 5,827Kr. 116,54
200 - 480Kr. 4,361Kr. 87,22
500 - 980Kr. 3,789Kr. 75,78
1000 - 1980Kr. 3,202Kr. 64,04
2000 +Kr. 2,914Kr. 58,28

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
787-9024
Producentens varenummer:
SI1032R-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

210mA

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SC-75

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

10Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

340mW

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

1.68mm

Højde

0.8mm

Standarder/godkendelser

IEC 61249-2-21, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, 8 V til 25 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.