Vishay 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 700 mA 20 V Forbedring, 6 Ben, SC-70-6, TrenchFET

RS-varenummer:: 165-6904
Producentens varenummer:: SI1553CDL-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 700 mA 20 V Forbedring, 6 Ben, SC-70-6, TrenchFET

Kan ikke leveres i øjeblikket

Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.

RS-varenummer:: 165-6904
Producentens varenummer:: SI1553CDL-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type P, Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	700mA
	Drain source spænding maks. Vds	20V
	Serie	TrenchFET
	Emballagetype	SC-70-6
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	6
	Drain source modstand maks. Rds	1.48mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	12V, -12V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	1.2nC
	Effektafsættelse maks. Pd	340mW
	Driftstemperatur maks.	+150°C
	Transistorkonfiguration	Isoleret
	Højde	1mm
	Længde	2.2mm
	Bredde	1.35mm
	Standarder/godkendelser	No
	Antal elementer per chip	2
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type P, Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 700mA
	Drain source spænding maks. Vds 20V
	Serie TrenchFET
	Emballagetype SC-70-6
	Monteringstype Overflade
	Benantal 6
	Drain source modstand maks. Rds 1.48mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 12V, -12V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.2nC
	Effektafsættelse maks. Pd 340mW
	Driftstemperatur maks. +150°C
	Transistorkonfiguration Isoleret
	Højde 1mm
	Længde 2.2mm
	Bredde 1.35mm
	Standarder/godkendelser No
	Antal elementer per chip 2
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: PH

Vishay TrenchFET seriens MOSFET, 20 V maksimal drain source-spænding, 700 mA maksimal kontinuerlig drain-strøm - SI1553CDL-T1-GE3

Denne MOSFET er en kompakt dobbeltkanals overflademonteret transistor, der er designet til koblings- og analoge opgaver i små opstillingsenheder. Den integrerer både P-kanal- og N-kanalenheder på en enkelt chip, hvilket muliggør komplementære switchingtopologier og forenklede krav til designere, der arbejder med lavspændingsstrømskinner og signalniveauomskiftning.

Egenskaber og fordele:

• Meget lav Rds(on) på 1.48 mΩ for reducerede ledningstab
• Typisk gate-ladning Qg på 1,2 nC for hurtigere gate-drive-respons
• Kontinuerlig mærkestrøm på 700 mA til omskiftning med moderat belastning
• Maks. Vds på 20 V til understøttelse af lavspændingsstrømdomæner
• Effekttabskapacitet på 340 mW til styring af termiske belastninger

Anvendelser

• Velegnet til batteristyring og strømfordelingskredsløb
• Ideel til belastningsswitching i bærbare instrumenter
• Anvendes sammen med niveauskiftende og komplementære FET-trin
• Kan bruges til lavspændings motorstyringsdrivertrin

Hvilken indkapslingstype bruger den, og hvor mange ben er til stede?

Den leveres i en 6-benet SC-70 SMD-pakke, der sparer pladsen på kortet, samtidig med at den giver separate terminaler til dobbelte enheder.

Hvilke gate-spændingsgrænser skal designet overholde?

Gate-til-kilde-spændingen skal være inden for ±12 V for at forhindre belastning på enheden og sikre sikker drift.

Hvilket driftstemperaturområde kan forventes ved implementering?

Den tåler et bredt omgivelsesområde fra -55 °C op til 150 °C, hvilket understøtter krævende termiske miljøer.

Indeholder enheden flere elementer pr. indsats, og hvordan påvirker det layoutet?

Chippen rummer to diskrete elementer, hvilket muliggør spejlføring til komplementære kredsløb og reducerer antallet af komponenter.