Vishay 2 Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 1.3 A 20 V Forbedring, 6 Ben, SC-88, TrenchFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 2.994,00

(ekskl. moms)

Kr. 3.744,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 0,998Kr. 2.994,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-6930
Producentens varenummer:
SI1922EDH-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.3A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SC-88

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

263mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

1.6nC

Min. driftstemperatur

150°C

Effektafsættelse maks. Pd

1.25W

Portkildespænding maks.

8 V

Driftstemperatur maks.

-55°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.35 mm

Højde

1mm

Længde

2.2mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
PH

Dobbelt N-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links