Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 20.5 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 812-3195
- Producentens varenummer:
- SI4124DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 39,93
(ekskl. moms)
Kr. 49,91
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 2.200 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 3,993 | Kr. 39,93 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 812-3195
- Producentens varenummer:
- SI4124DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.009Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 5.7W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 21nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21 | |
| Højde | 1.55mm | |
| Længde | 5mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.009Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 5.7W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 21nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21 | ||
Højde 1.55mm | ||
Længde 5mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 20.5 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Isoleret 7.5 A 30 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 4 A 20 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 6.5 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 2.9 A 20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 10.9 A 30 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 19 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 36 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET