Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 20.5 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 102,63

(ekskl. moms)

Kr. 128,29

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 2.200 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 10,263Kr. 102,63
50 - 90Kr. 9,642Kr. 96,42
100 - 240Kr. 8,722Kr. 87,22
250 - 490Kr. 8,213Kr. 82,13
500 +Kr. 7,704Kr. 77,04

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
812-3195
Producentens varenummer:
SI4124DY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20.5A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

SOIC

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.009Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

21nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

5.7W

Portkildespænding maks.

±20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.55mm

Standarder/godkendelser

IEC 61249-2-21

Bredde

4 mm

Længde

5mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links