Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 20.5 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 102,63

(ekskl. moms)

Kr. 128,29

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 2.200 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 10,263Kr. 102,63
50 - 90Kr. 9,642Kr. 96,42
100 - 240Kr. 8,722Kr. 87,22
250 - 490Kr. 8,213Kr. 82,13
500 +Kr. 7,704Kr. 77,04

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
812-3195
Producentens varenummer:
SI4124DY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20.5A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.009Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

21nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

±20 V

Effektafsættelse maks. Pd

5.7W

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.55mm

Længde

5mm

Bredde

4 mm

Standarder/godkendelser

IEC 61249-2-21

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links