Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 19 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET Nej SI4840BDY-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 710-4736
- Producentens varenummer:
- SI4840BDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 14,80
(ekskl. moms)
Kr. 18,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 3.770 enhed(er) afsendes fra 15. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 2,96 | Kr. 14,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 710-4736
- Producentens varenummer:
- SI4840BDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 19A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.012Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 6W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 33nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, JEDEC JS709A, Halogen Free (IEC 61249-2-21) | |
| Længde | 5mm | |
| Bredde | 4 mm | |
| Højde | 1.55mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 19A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.012Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 6W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 33nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, JEDEC JS709A, Halogen Free (IEC 61249-2-21) | ||
Længde 5mm | ||
Bredde 4 mm | ||
Højde 1.55mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 19 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej
- Vishay Type N-Kanal 36 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej SI4154DY-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 20.5 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej SI4124DY-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 10.9 A 30 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej SI4128DY-T1-GE3
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 6.5 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej SI4909DY-T1-GE3
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 3.1 A 60 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej SI4948BEY-T1-GE3
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 8 A 30 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej SI4925DDY-T1-GE3
- Vishay 2 Type N-Kanal Isoleret 6.5 A 60 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej SI4946BEY-T1-GE3